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原文传递离子敏感场效应晶体管

专利名称：	离子敏感场效应晶体管
摘要：	一种信号处理电路，包括一个或多个离子敏感场效应晶体管ISFET以及偏置电路，该偏置电路用于使每个离子场效应晶体管偏置以工作在弱反转区中。一种使用离子敏感场效应晶体管来监控介质的属性的方法，该方法包括：使离子敏感场效应晶体管偏置在弱反转区中；将离子敏感场效应晶体管暴露于所述介质；以及分析基于所述属性而变化的离子敏感场效应晶体管的输出。
专利类型：	发明专利
申请人：	DNA电子有限公司
发明人：	克里斯特弗·图马佐;布沙娜·普马诺德;莱拉·谢伯德
专利状态：	有效
申请日期：	2005-06-22T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201010268840.8
公开号：	CN101949883A
代理机构：	中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人：	赵伟
分类号：	G01N27/414(2006.01)I
申请人地址：	英国伦敦
主权项：	一种数字信号处理电路，该电路的一个或多个开关由离子敏感场效应晶体管提供。
所属类别：	发明专利