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离子敏感场效晶体管及其制造方法
| 专利名称： | 离子敏感场效晶体管及其制造方法 |
| 摘要： | 一种离子敏感场效晶体管，其具有：一氮化镓/蓝宝石层，用以充当一基板；一a-InN:Mg外延层，沉积于该氮化镓/蓝宝石层上以提供一电流路径；一第一金属接点，沉积于该a-InN:Mg外延层上以提供一漏极接点；一第二金属接点，沉积于该a-InN:Mg外延层上以提供一源极接点；以及一图案化绝缘层，覆盖于该第一金属接点、该第二金属接点及该a-InN:Mg外延层上，其中该图案化绝缘层具有一接触窗口以界定该a-InN:Mg外延层的曝露区域。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 申请人： | 国立清华大学 |
| 发明人： | 叶哲良;果尚志 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2010-02-02T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201010111169.6 |
| 公开号： | CN101964360A |
| 代理机构： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
| 代理人： | 周长兴 |
| 分类号： | H01L29/772(2006.01)I |
| 申请人地址： | 中国台湾新竹市光复路2段101号 |
| 主权项： | 一种离子敏感场效晶体管，其具有：一基板；一掺杂镁的氮化铟外延层，沉积于该基板上以提供一电流路径；一第一导电接点，沉积于该InN:Mg外延层上以提供一漏极接点；一第二导电接点，沉积于该InN:Mg外延层上以提供一源极接点；以及一图案化绝缘层，用以覆盖该第一导电接点、该第二导电接点及该InN:Mg外延层，其中该图案化绝缘层具有一接触窗口以界定该InN:Mg外延层的曝露区域。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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