详情

原文传递离子检测装置及其制造方法、FAIMS系统

专利名称：	离子检测装置及其制造方法、FAIMS系统
摘要：	本发明涉及离子检测装置、离子检测装置的制造方法及场不对称波形离子迁移谱分析系统，其目的在于获得具有优异检测感度的离子检测装置。本发明的离子检测装置(100)具有如下部件：离子过滤器(110)，其中具备相互对置的第一电极(111)和第二电极(112)；离子检测电极(120)，其与通过离子过滤器(110)的离子发生碰撞；以及，固体的绝缘部件(130)，用于将离子检测电极(120)与第一电极(111)和第二电极(112)电绝缘。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	日本;JP
申请人：	株式会社理光
发明人：	氏本胜也;洼田进一;丹国广
专利状态：	有效
申请日期：	2018-11-02T00:00:00+0800
发布日期：	2019-07-12T00:00:00+0800
申请号：	CN201811299375.7
公开号：	CN110006985A
代理机构：	北京市柳沈律师事务所
代理人：	陆悦
分类号：	G01N27/62(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	日本东京都
主权项：	1.一种离子检测装置，其特征在于，具备，离子过滤器，其中具备彼此对置的第一电极和第二电极；离子检测电极，其与通过所述离子过滤器的通过离子发生碰撞；以及，固体的绝缘部件，用于将所述离子检测电极与所述第一电极以及所述第二电极电绝缘。 2.根据权利要求1所述的离子检测装置，其特征在于，所述绝缘部件上设有在与所述通过离子的行进方向平行的方向上延伸的开口部。 3.根据权利要求1或2所述的离子检测装置，其特征在于，所述绝缘部件具有100kV/mm以上的绝缘破坏强度。 4.根据权利要求3所述的离子检测装置，其特征在于，所述绝缘部件具有SiO2、Si3N4、Al2O3中任意一种材质的膜。 5.根据权利要求1至4中任意一项所述的离子检测装置，其特征在于，具有具备支撑层、绝缘层以及活性层的SOI衬底，所述离子检测电极以所述支撑层构成，所述绝缘部件以所述绝缘层构成，所述第一电极以及所述第二电极以所述活性层构成。 6.根据权利要求1至4中任意一项所述的离子检测装置，其特征在于，具有，第一SOI衬底，具备第一支撑层、第一绝缘层以及第一活性层；以及，第二SOI衬底，具备第二支撑层、第二绝缘层以及第二活性层，所述第二支撑层与所述第一支撑层连接，所述离子检测电极以所述第一活性层构成，所述绝缘部件以所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层构成，所述第一电极以及所述第二电极以所述第二活性层构成。 7.根据权利要求1至4中任意一项所述的离子检测装置，其特征在于，具有，第一SOI衬底，具备第一支撑层、第一绝缘层以及第一活性层；以及，第二SOI衬底，具备第二支撑层、第二绝缘层以及第二活性层，所述第二活性层与所述第一支撑层连接，所述离子检测电极以所述第一活性层构成，所述绝缘部件以所述第二绝缘层构成，所述第一电极以及所述第二电极以所述第二活性层构成。 8.根据权利要求1至7中任意一项所述的离子检测装置，其特征在于，所述离子检测电极具备具有导电性的第一Si层，所述第一电极和所述第二电极具备具有导电性的第二Si层，所述绝缘部件具有SiO2膜。 9.根据权利要求1至8中任意一项所述的离子检测装置，其特征在于，所述离子检测电极具有彼此电绝缘的第三电极和第四电极。 10.一种离子检测装置的制造方法，其特征在于，具备以下工序，在具有支撑层、位于该支撑层上的绝缘层、以及位于该绝缘层上的活性层的SOI衬底中的所述活性层上，形成第一开口部，并将所述活性层一分为二的工序；在所述支撑层上形成第二开口部的工序，该第二开口部俯视时与所述第一开口部重合；在所述绝缘层上形成第三开口部的工序，该第三开口部与所述第一开口部和所述第二开口部连接。 11.根据权利要求10所述的离子检测装置的制造方法，其特征在于，具有在所述第二开口部和所述第三开口部形成之后，将两块所述SOI衬底贴合起来的工序。 12.根据权利要求10所述的离子检测装置的制造方法，其特征在于，具有在所述第二开口部和所述第三开口部形成之后，将两块所述SOI衬底贴合起来的工序，其中一块所述SOI衬底的所述支撑层与另一块所述SOI衬底的所述活性层相对。 13.根据权利要求11或12所述的离子检测装置的制造方法，其特征在于，在将两块所述SOI衬底贴合起来的工序之前，具有减小所述支撑层厚度的工序。 14.一种场不对称波形离子迁移谱分析系统，其特征在于，具有，权利要求1至9中任意一项所述的离子检测装置；设置在所述离子检测装置的前部的离子发生部；以及，用来检测所述离子检测电极发生的电流的离子电流检测部。
所属类别：	发明专利