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一种场效应晶体管气体传感器及其阵列制备方法
| 专利名称： | 一种场效应晶体管气体传感器及其阵列制备方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种场效应晶体管气体传感器及其阵列制备方法，该场效应晶体管(FET)气体传感器为量子点修饰栅电极的栅敏FET气体传感器，其栅敏电极层(5)为两层复合结构或由复合材料构成的单层结构，其中，两层复合结构包括金属薄膜层和沉积在该金属薄膜层表面上的量子点层；由复合材料构成的单层结构具体是由量子点与金属或类金属材料组合的复合材料构成的单层结构。本发明通过对栅敏FET其内部组成及结构、相应制备方法等进行改进，以量子点同时作为栅极和气体敏感层，利用量子点栅敏电极对不同气体的吸附特性来调控栅极偏压以及沟道调制效应，能够得到高灵敏、低功耗和高选择性的室温气体传感器，达到检测低浓度目标气体(如H2)的效果。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 湖北;42 |
| 申请人： | 华中科技大学 |
| 发明人： | 刘欢;唐江;李华曜;刘竞尧;严棋;田枝来;臧剑锋;张建兵 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-09-03T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-12-17T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910829431.1 |
| 公开号： | CN110579526A |
| 代理机构： | 华中科技大学专利中心 |
| 代理人： | 许恒恒;李智 |
| 分类号： | G01N27/414(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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