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原文传递一种大肠癌免疫传感器的制备及其检测方法

专利名称：	一种大肠癌免疫传感器的制备及其检测方法
摘要：	本发明公开了本发明提供了一种大肠癌免疫传感器的制备及其检测方法，采用如下步骤制备：采用绝缘硅片作为底层；制备半导体层和导电层；刻蚀呈三角分布的槽孔，三角分布的槽孔分别作为免疫传感器的源电极、漏电极和栅电极；形成了半导体硅与导电层之间的欧姆接触；用采用电感耦合等离子体刻蚀技术制作出多个微流控通道、液体出口通道和入口通道，清除残留物；进行非特异性活性处理，保存于3‑4℃温度下备用，得到免疫传感器。传感器在检测应用上，灵敏度高、准确度高，能实时反应且免于标记。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	广西;45
申请人：	广西华银医学检验所有限公司
发明人：	刘洋;黎玉凤;李旺
专利状态：	有效
申请日期：	2019-09-09T00:00:00+0800
发布日期：	2019-12-31T00:00:00+0800
申请号：	CN201910864511.0
公开号：	CN110632304A
代理机构：	南宁深之意专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：	黄南概
分类号：	G01N33/574(2006.01);G;G01;G01N;G01N33
申请人地址：	530033 广西壮族自治区南宁市壮锦大道东侧、国凯大道南侧北部湾科技园总部基地一期工程B-4办公楼3层
主权项：	1.一种大肠癌免疫传感器的制备方法，其特征在于，采用如下步骤制备：（1）采用绝缘硅片作为底层；（2）通过等离子体增强化学气相沉积法将厚度为15nm的二氧化硅（SiO2）薄片沉积在绝缘硅片的表面成半导体层，而后用化学气相沉积工艺将二氧化钛作为导电层，并对其钝化；（3）用 Nikon 步进光刻仪在绝缘层表面上刻蚀呈三角分布的槽孔，三角分布的槽孔分别作为免疫传感器的源电极、漏电极和栅电极，其中源极与漏极的槽孔之间通过设置间隔层将源极与漏极之间的导电层断开以绝缘；（5）孔槽中形成源电极、漏电极和栅电极通过金属沉积法制备，而后采用采用酸性溶液进行处理；（6）将1-5步骤制成的半成品在410-450℃环境中进行快速热退火处理，形成了半导体硅与导电层之间的欧姆接触；（7）采用电感耦合等离子体刻蚀技术制作出多个微流控通道、液体出口通道和入口通道，清除残留物；（8）对将1-7制成的传感器放入含有4%的3-氨丙基三乙氧基硅烷（APTES）无水乙醇溶液中，时间为20分钟，用含有0.4%的磷酸缓冲溶液（PBST）淋洗修饰电极，滴涂20 μL 6% 牛血清蛋白，封闭电极上的非特异性活性位点，保存于3-4℃温度下备用，得到免疫传感器。 2.根据权利要求书1所述的一种大肠癌免疫传感器的制备方法，其特征在于，所述绝缘硅片为边缘薄中间厚的方形或圆形，所述绝缘片厚度范围是40-60 nm。 3.根据权利要求书1所述的一种大肠癌免疫传感器的制备方法，其特征在于，所述导电层的厚度在6-15纳米之间，且所述导电层通过连接纳米线与半导体检测装置的探针。 4.根据权利要求书1所述的一种大肠癌免疫传感器的制备方法，其特征在于，所述间隔层可以是采用刻蚀法在源极与漏极之间开凹槽。 5.根据权利要求书1所述的一种大肠癌免疫传感器的制备方法，其特征在于，所述微流控通道设置在半导体层和导电层之间，液体出口通道和入口通道连通穿透导电层分别与微流控通道的两端连通，多个微流控通道呈并列式分布，微流控通道直径范围是3-6μm。 6.一种大肠癌免疫传感器的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）准备配套仪器，将仪器探测针与权利要求1-5的传感器接入；（2）根据测定到的还原峰峰电流值对应标准曲线得到样品中检测物的浓度。
所属类别：	发明专利