专利名称: |
一种基于萘封端三联噻吩衍生物电学阻抗型生物胺传感器及其制备方法和应用 |
摘要: |
本发明公开了一种基于萘封端三联噻吩衍生物电学阻抗型生物胺传感器及其制备方法和应用,属于有机半导体材料技术领域。本发明的生物胺传感器包括叉指电极和有机活性层材料,该有机活性层材料为三联噻吩衍生物NA‑3T和NA‑3T‑NA,其通过真空镀膜技术镀于叉指电极上,并且其厚度为150~200nm。本发明的生物胺传感器制备便捷,操作简单,选择性高,对于多巴胺、酪胺、组胺、色胺的传感强度最低检测限可达ppb级别;三甲胺的最低检测限可达21.1ppm。另外,本发明的生物胺传感器稳定性高,响应时间快。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
陕西;61 |
申请人: |
陕西理工大学 |
发明人: |
刘全;刘存芳;田光辉;季晓晖;葛红光 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2018-12-27T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-04-26T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201811607600.9 |
公开号: |
CN109682857A |
代理机构: |
西安通大专利代理有限责任公司 |
代理人: |
徐文权 |
分类号: |
G01N27/02(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
申请人地址: |
710046 陕西省汉中市汉台区东关小关子 |
主权项: |
1.萘封端三联噻吩衍生物在制备生物胺传感器中的应用,其特征在于,所述萘封端三联噻吩衍生物结构如下所示: 2.如权利要求1所述的应用,其特征在于,生物胺为多巴胺、酪胺、组胺、色胺和三甲胺。 3.一种萘封端三联噻吩衍生物电学阻抗型生物胺传感器,其特征在于,包括基片,基片上固定设置叉指电极,在该叉指电极表面镀膜有机活性层,有机活性层表面镀膜有银电极层;其中,有机活性层所用材料的结构式如下: 4.如权利要求3所述的萘封端三联噻吩衍生物电学阻抗型生物胺传感器,其特征在于,有机活性层厚度为50~100nm。 5.如权利要求3所述的萘封端三联噻吩衍生物电学阻抗型生物胺传感器,其特征在于,叉指电极的叉指宽度为8~12mm,叉指间距为50~150μm,叉指对数5~10对。 6.如权利要求3所述的萘封端三联噻吩衍生物电学阻抗型生物胺传感器,其特征在于,银电极层的厚度为150~200nm。 7.权利要求3~6中任意一项所述的萘封端三联噻吩衍生物电学阻抗型生物胺传感器在食品腐败程度检测中的应用。 8.权利要求3~6中任意一项所述的萘封端三联噻吩衍生物电学阻抗型生物胺传感器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 1)将基片清洗、干燥后,把叉指电极固定于基片上; 2)将步骤1)中固定有叉指电极的基片置于真空镀膜装置中,并向真空镀膜装置中装入有机活性层材料,设置真空镀膜参数:蒸镀速度为蒸镀压力为1E-6~1E-5mbar,蒸镀温度为80~200℃; 3)降低真空镀膜装置的腔内气压,当腔内气压小于5.0mbar时,开启分子泵,当气压达到蒸镀压力时,开始蒸镀薄膜,直至镀膜的有机活性层达到所需的厚度; 4)在步骤3)制得的薄膜上固定不锈钢掩膜版,并向真空镀膜装置中装入银颗粒;然后更新真空镀膜参数:蒸镀速度为蒸镀压力为1E-4~1E-5mbar,蒸镀温度为150~250℃; 5)开启减压装置来降低真空镀膜装置的腔内气压,当腔内气压小于5.0mbar时,开启分子泵,当气压达到蒸镀压力时,开始蒸镀薄膜,直至镀膜的银电极层达到所需的厚度,制得萘封端三联噻吩衍生物电学阻抗型生物胺传感器。 9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,步骤1)中,基片采用厚度为0.5~1.1mm的玻璃基片,依次以二次水、异丙醇和丙酮清洁玻璃基片,干燥用氮气枪吹干;然后将叉指电极通过双面胶粘合于玻璃基片。 10.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,步骤2)中,真空镀膜参数设置如下:蒸镀速度为蒸镀压力为1E-6mbar,蒸镀温度为90℃; 步骤4)中,真空镀膜参数设置如下:蒸镀速度为蒸镀压力为1E-5mbar,蒸镀温度为180℃。 |
所属类别: |
发明专利 |