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电子元器件传送装置及编带电子元器件串列的制造方法
| 专利名称： | 电子元器件传送装置及编带电子元器件串列的制造方法 |
| 摘要： | 本发明提供一种使电子元器件的内部电极的层叠方向以较高的可靠性进行统一的电子元器件传送装置。中游部(23b)的第1侧壁(22a)和第2侧壁(22b)之间的间隔P2比下游部(23c)的第1侧壁(22a)和第2侧壁(22b)之间的间隔P3要大。第1磁力发生部(24a)设置于中游部(23b)的第1侧壁(22a)的侧方。以底面(21)作为基准的第1磁力发生部(24a)的中心的高度比P3/2要大。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 日本;JP |
| 申请人： | 株式会社村田制作所 |
| 发明人： | 角方胜;江端光雄;田中尚登 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2016-06-16T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-05-03T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910006606.9 |
| 公开号： | CN109703808A |
| 代理机构： | 上海专利商标事务所有限公司 |
| 代理人： | 陈亦欧;宋俊寅 |
| 分类号： | B65B15/04(2006.01);B;B65;B65B;B65B15 |
| 申请人地址： | 日本京都府 |
| 主权项： | 1.一种电子元器件传送装置，其特征在于，包括： 传送路径；以及 第1磁力发生部， 所述传送路径包含上游部、与所述上游部相连接的中游部及与所述中游部相连接的下游部， 所述传送路径包含通过所述上游部、所述中游部、所述下游部的底面、第1侧壁、及第2侧壁，所述第1侧壁和所述第2侧壁隔着间隔相对， 所述第1磁力发生部设置于所述中游部的所述第1侧壁的侧方， 所述中游部的所述第1侧壁和所述第2侧壁的间隔比所述上游部的所述第1侧壁和所述第2侧壁的间隔、及所述下游部的所述第1侧壁和所述第2侧壁的间隔要大， 所述第1侧壁从所述上游部、经过所述中游部到所述下游部形成为平坦的平面状。 2.如权利要求1所述的电子元器件传送装置，其特征在于， 所述中游部包含与所述下游部相连接的过渡部， 所述过渡部中，所述第2侧壁相对于传送方向倾斜，所述第1侧壁和所述第2侧壁之间的间隔随着接近所述下游部而变窄。 3.如权利要求1或2所述的电子元器件传送装置，其特征在于， 还包括位于所述中游部的所述第2侧壁的侧方，且配置在比所述第1磁力发生部更靠近下游侧的第2磁力发生部， 由所述第2磁力发生部发生的磁力比由所述第1磁力发生部发生的磁力要弱。 4.如权利要求1或2所述的电子元器件传送装置，其特征在于， 在与传送方向正交的宽度方向上，所述第1磁力发生部不与包含所述第2磁力发生部的其他磁力发生部重叠，所述第2磁力发生部不与包含所述第1磁力发生部的其他磁力发生部重叠。 5.如权利要求1或2所述的电子元器件传送装置，其特征在于， 所述第1磁力发生部包含永磁体或电磁体。 6.如权利要求1或2所述的电子元器件传送装置，其特征在于， 所述传送路径沿着长度方向对包含层叠的多个内部导体的长方体状的电子元器件进行传送。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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