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原文传递一种多晶硅中磷含量的检测方法

专利名称：	一种多晶硅中磷含量的检测方法
摘要：	本发明公开了一种多晶硅中磷含量的检测方法，它是采用电感耦合等离子体质谱ICP‑MS方法检测多晶硅中的磷含量，具体包括以下步骤：(1)样品处理：取3g多晶硅样品用氢氟酸和硝酸常温消解后，将酸蒸发掉，然后用3％硝酸定容到5g；(2)启动ICP‑MS设备进入氨模式进行调试，调试结束后将步骤(1)处理好的样品直接放入设备中进行测试得到结果。本发明方法解决了传统ICP‑MS不能稳定进行多晶硅中磷含量测试的问题，并且相对于现有技术中的低温红外测试方法，本发明方法成本更低，且操作简便，分析效率高，设备稳定，维护成本低。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	内蒙古;15
申请人：	内蒙古通威高纯晶硅有限公司
发明人：	曾一文;甘居富;游书华;彭中;王亚萍
专利状态：	有效
申请日期：	2019-01-31T00:00:00+0800
发布日期：	2019-05-03T00:00:00+0800
申请号：	CN201910099717.9
公开号：	CN109709203A
代理机构：	北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：	王学强;罗满
分类号：	G01N27/62(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	014000 内蒙古自治区包头市昆都仑区金属深加工园区荣华大街1号
主权项：	1.一种多晶硅中磷含量的检测方法，其特征在于：采用电感耦合等离子体质谱ICP-MS方法检测多晶硅中的磷含量。 2.根据权利要求1所述的一种多晶硅中磷含量的检测方法，其特征在于：具体包括以下步骤： (1)样品处理：取3g多晶硅样品用氢氟酸和硝酸常温消解后，将酸蒸发掉，然后用3％硝酸定容到5g； (2)启动ICP-MS设备进入氨模式进行调试，调试结束后将步骤(1)处理好的样品直接放入设备中进行测试得到结果。 3.根据权利要求2所述的一种多晶硅中磷含量的检测方法，其特征在于：所述步骤(1)中使用的氢氟酸中的杂质含量为ppt级。 4.根据权利要求2所述的一种多晶硅中磷含量的检测方法，其特征在于：所述步骤(1)中使用的硝酸中的杂质含量为ppt级。 5.根据权利要求2所述的一种多晶硅中磷含量的检测方法，其特征在于：所述步骤(1)酸蒸发的温度为80℃。 6.根据权利要求2所述的一种多晶硅中磷含量的检测方法，其特征在于：所述步骤(1)样品处理全部在FEP材质容器中完成。 7.根据权利要求2所述的一种多晶硅中磷含量的检测方法，其特征在于：所述步骤(2)中ICP-MS设备调试的参数有：雾化气流量：0.7L/min，补偿气：0.50-0.55L/min，提取透镜：5，反应气体流量：5.0mL/min，能量歧视：1-1.5V。
所属类别：	发明专利