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一种测定多晶硅中硼、磷含量的方法
| 专利名称： | 一种测定多晶硅中硼、磷含量的方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种测定多晶硅中硼、磷含量的方法，该方法为：在氩气 气氛中将多晶硅拉制成单晶硅；测量单晶硅预设位置的电阻率和P/N类型； 将单晶硅中硼、磷之间的差量公式与单晶硅预设位置的分凝系数公式结合起 来，以单晶硅中硼含量和磷含量作为未知数，建立二元一次方程组；依据二 元一次方程组，得到多晶硅中硼的含量和磷的含量。与现有技术相比，本发 明在测得单晶硅预设位置的电阻率和P/N类型后，即可根据所测的电阻率、 P/N类型和已有的公式计算出单晶硅中硼、磷的含量，即多晶硅中硼、磷的含 量，由于本发明在测得数据后采用公式计算，因此节约大量的时间；另外， 无需用到低温傅里叶变换红外光谱仪或低温傅里叶变换光致发光仪，因此节 省成本。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 重庆;85 |
| 申请人： | 重庆大全新能源有限公司 |
| 发明人： | 张瑞云;迈克·杰尼根 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2009-06-15T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN200910145826.6 |
| 公开号： | CN101571502 |
| 代理机构： | 北京集佳知识产权代理有限公司 |
| 代理人： | 逯长明 |
| 分类号： | G01N27/04(2006.01)I |
| 申请人地址： | 404000重庆市万州区龙都大道666号 |
| 主权项： | 1、一种测定多晶硅中硼、磷含量的方法，其特征在于，包括： 在氩气气氛中将多晶硅拉制成单晶硅； 测量单晶硅预设位置的电阻率和P/N类型； 将单晶硅中硼、磷之间的差量公式与单晶硅预设位置的分凝系数公式结 合起来，以单晶硅中硼含量和磷含量作为未知数，建立二元一次方程组； 依据所述二元一次方程组得到多晶硅中硼的含量和磷的含量。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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