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不对称单锥结构光纤传感器及其制作方法
| 专利名称： | 不对称单锥结构光纤传感器及其制作方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种不对称单锥结构光纤传感器，包括第一光纤区、第二光纤区和锥区，第一光纤区、第二光纤区和锥区为同一根单模光纤的不同部分，且锥区位于所述第一光纤区和第二光纤区之间，所述锥区包括第一锥区和第二锥区，第一锥区一端与所述第一光纤区连接，另一端与第二锥区连接，第二锥区末端与所述第二光纤区连接；所述第一锥区和第二锥区长度不同。本发明不对称单锥结构光纤传感器不仅能够采集外界折射率信号，而且具有优良的线性度。本发明结构、操作简单，技术成本较低，重复性高，易于实现器件的批量加工，具有很高的经济效益。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 北京信息科技大学 |
| 发明人： | 祝连庆;郝家祺;张雯;何巍;董明利;娄小平;宋言明 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2018-12-27T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-05-07T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201811615901.6 |
| 公开号： | CN109724943A |
| 代理机构： | 北京市科名专利代理事务所(特殊普通合伙) |
| 代理人： | 陈朝阳 |
| 分类号： | G01N21/41(2006.01);G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 100085 北京市海淀区清河小营东路12号 |
| 主权项： | 1.一种不对称单锥结构光纤传感器，包括第一光纤区、第二光纤区和锥区，第一光纤区、第二光纤区和锥区为同一根单模光纤的不同部分，且锥区位于所述第一光纤区和第二光纤区之间，其特征在于，所述锥区包括第一锥区和第二锥区，第一锥区一端与所述第一光纤区连接，另一端与第二锥区连接，第二锥区末端与所述第二光纤区连接；所述第一锥区和第二锥区长度不同。 2.如权利要求1所述的一种不对称单锥结构光纤传感器，其特征在于，所述第一锥区长度为25000μm，所述第二锥区长度为16000μm。 3.一种不对称单锥结构光纤传感器的制作方法，其特征在于，方法包括：通过光纤拉锥技术将单模光纤拉锥，形成权利要求1所述的第一光纤区、第二光纤区、第一锥区和第二锥区；其中，第一锥区长度为25000μm，第二锥区长度为16000μm。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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