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原文传递纳米复合物及其免标记适体电化学γ-干扰素传感器的制备方法

专利名称：	纳米复合物及其免标记适体电化学γ-干扰素传感器的制备方法
摘要：	本发明公开了一种基于树状大分子/金纳米粒/二硫化钼纳米复合物的免标记适体电化学γ‑干扰素传感器的制备方法。滴涂该复合物于电极表面制备改性电极，γ‑干扰素适体链终端巯基通过Au‑S键与金纳米粒连接，制得复合物‑适体的改性电极。当γ‑干扰素存在时，γ‑干扰素与传感器上适体链特异性结合，导致适体发卡结构被打开伸展，可有效吸附电解液中的亚甲基蓝MB，引起MB氧化还原信号显著增强。拟合MB氧化峰电流强度与γ‑干扰素浓度间的线性关系，构建免标记适体电化学γ‑干扰素传感器。与现有技术相比，本发明方法操作简单、成本低廉、灵敏度高、选择性好，可发展成为一种新颖的免标记适体电化学传感器，用于生物样品中γ‑干扰素的高灵敏和高选择性检测。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	山东;37
申请人：	青岛大学
发明人：	金辉;高小惠;桂日军;王宗花
专利状态：	有效
申请日期：	2019-02-20T00:00:00+0800
发布日期：	2019-05-10T00:00:00+0800
申请号：	CN201910125057.7
公开号：	CN109738500A
代理机构：	青岛高晓专利事务所(普通合伙)
代理人：	张世功
分类号：	G01N27/30(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	266071 山东省青岛市崂山区香港东路7号
主权项：	1.纳米复合物及其免标记适体电化学γ-干扰素传感器的制备方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤： (1)将二硫化钼(MoS2)粉末加入乙醇和蒸馏水的混合溶剂中，在水浴中超声处理，然后离心分离，去除沉淀物，制得MoS2均质分散液备用； (2)配制氯金酸水溶液，加入聚乙二胺树状大分子(PAMAM)水溶液中，磁力搅拌混合均匀，滴加硼氢化钠水溶液，制备金纳米粒负载的树状大分子(PAMAM/AuNPs)，通过透析处理，除去残留反应物； (3)向MoS2分散液中滴加PAMAM/AuNPs分散液，先水浴超声处理，再磁力搅拌处理，反应制得PAMAM/AuNPs/MoS2纳米复合物； (4)在抛光打磨处理的裸玻碳电极表面滴加交联剂Nafion，滴涂纳米复合物分散液，制得PAMAM/AuNPs/MoS2改性的电极；γ-干扰素核酸适体用缓冲液稀释，加热至一定温度后冷却至室温，适体形成二级发卡结构，适体链巯基终端通过Au-S键连接至AuNPs表面； (5)在浸没了PAMAM/AuNPs/MoS2-适体改性电极的电解液中，加入氧化还原探针亚甲基蓝MB，随着靶分子γ-干扰素加入量的增大，MB的电化学信号峰逐渐增强，拟合MB氧化峰电流强度与γ-干扰素浓度之间的线性关系，构建用于γ-干扰素检测的免标记适体电化学传感器。 2.根据权利要求1所述的纳米复合物及其免标记适体电化学γ-干扰素传感器的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的超声功率为150～200W，频率为20～50kHz，超声时间为5～10h，MoS2均质分散液浓度为1～2mg mL-1。 3.根据权利要求1所述的纳米复合物及其免标记适体电化学γ-干扰素传感器的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述的氯金酸浓度为10～50mM，PAMAM质量浓度为0.1～1％，硼氢化钠浓度为0.5～1M，PAMAM/AuNPs分散液浓度为1～10mg mL-1。 4.根据权利要求1所述的纳米复合物及其免标记适体电化学γ-干扰素传感器的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述的超声处理时间为10～60min，搅拌处理时间为6～12h，MoS2与PAMAM/AuNPs质量浓度比为(1:10)～(1:2)。 5.根据权利要求1所述的纳米复合物及其免标记适体电化学γ-干扰素传感器的制备方法，其特征在于，步骤(4)中所述的适体浓度稀释至1～5μM；加热温度为50～100℃；热处理时间为1～6h。 6.根据权利要求1所述的纳米复合物及其免标记适体电化学γ-干扰素传感器的制备方法，其特征在于，步骤(5)中所述的γ-干扰素浓度为0～1000pg mL-1；γ-干扰素的检测限为1～3fg mL-1。
所属类别：	发明专利