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原文传递聚硅氧烷母粒的上料装置

专利名称：	聚硅氧烷母粒的上料装置
摘要：	本实用新型涉及聚硅氧烷母粒的上料装置。聚硅氧烷母粒的上料装置，包括底座、柱体、电机；柱体内部设置有中心护柱，中心护柱连接设置在柱体顶部的电机，柱体底部连接底座；柱体内部，中心护柱的外周螺旋连接有平面提升盘，平面提升盘的内侧直接与中心护柱接触，平面提升盘的外侧直接与柱体的内壁接触；平面提升盘的底部连接进料盘，平面提升盘的顶部连接出料盘；平面提升盘向上延伸的方向与水平面的夹角α是5°‑20°。本实用新型聚硅氧烷母粒的上料装置，其便于清洗，在其内部不易黏附聚硅氧烷母粒，减少产品污染情况的发生。
专利类型：	实用新型
国家地区组织代码：	四川;51
申请人：	成都思立可科技有限公司
发明人：	雷霆;徐龙平
专利状态：	有效
申请日期：	2018-07-19T00:00:00+0800
发布日期：	2019-05-14T00:00:00+0800
申请号：	CN201821149796.7
公开号：	CN208856329U
分类号：	B65G33/14(2006.01);B;B65;B65G;B65G33
申请人地址：	610300 四川省成都市青白江区工业集中发展区创新路336号
主权项：	1.聚硅氧烷母粒的上料装置，其特征在于：包括底座、柱体、电机；柱体内部设置有中心护柱，中心护柱连接设置在柱体顶部的电机，柱体底部连接底座；柱体内部，中心护柱的外周螺旋连接有平面提升盘，平面提升盘的内侧直接与中心护柱接触，平面提升盘的外侧直接与柱体的内壁接触；平面提升盘的底部连接进料盘，平面提升盘的顶部连接出料盘；平面提升盘向上延伸的方向与水平面的夹角α是5°-20°。 2.根据权利要求1所述的上料装置，其特征在于：所述中心护柱是空心结构。 3.根据权利要求1所述的上料装置，其特征在于：所述夹角α是10°-15°。 4.根据权利要求1所述的上料装置，其特征在于：所述平面提升盘在其与外侧40％-60％的横向距离处设置若干凸起结构。 5.根据权利要求4所述的上料装置，其特征在于：高度方向上相邻的凸起结构之间的距离是15cm-20cm。 6.根据权利要求1所述的上料装置，其特征在于：平面提升盘在高度方向上设置有加固筋。 7.根据权利要求1所述的上料装置，其特征在于：底座与地面固定连接，并且底座内设置有减震结构。 8.根据权利要求1所述的上料装置，其特征在于：所述电机是偏心震动电机。
所属类别：	实用新型