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原文传递中红外光的全谱测量方法和相应的装置

专利名称：	中红外光的全谱测量方法和相应的装置
摘要：	本发明提供一种中红外光的全谱测量方法，包括如下步骤：步骤一：使中红外光与泵浦光同时投射到至少两个上转换晶体上发生和频，将所述中红外光上转换为可见光，其中，所述至少两个上转换晶体的上转换波段的总和覆盖所述中红外光的全谱；步骤二：对转换后的可见光进行探测；以及步骤三：基于所述可见光的探测结果得到所述中红外光的全谱。本发明的中红外光的全谱测量方法分辨率高、信噪比高、读取速度快、灵敏度高并且成本低。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	北京;11
申请人：	中国科学院物理研究所
发明人：	张佳;朱江瑞;李刚;李运良
专利状态：	有效
申请日期：	2017-11-20T00:00:00+0800
发布日期：	2019-05-28T00:00:00+0800
申请号：	CN201711155568.0
公开号：	CN109813670A
代理机构：	北京泛华伟业知识产权代理有限公司
代理人：	王勇
分类号：	G01N21/35(2014.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	100190 北京市海淀区中关村南三街8号
主权项：	1.一种中红外光的全谱测量方法，包括如下步骤：步骤一：使中红外光与泵浦光同时投射到至少两个上转换晶体上发生和频，将所述中红外光上转换为可见光，其中，所述至少两个上转换晶体的上转换波段的总和覆盖所述中红外光的全谱；步骤二：对转换后的可见光进行探测；以及步骤三：基于所述可见光的探测结果得到所述中红外光的全谱。 2.根据权利要求1所述的中红外光的全谱测量方法，其中，所述中红外光的全谱波段为3μm～10μm。 3.根据权利要求1所述的中红外光的全谱测量方法，其中，所述至少两个上转换晶体中的一个为MgO:LiNbO3晶体，另一个为AgGaGeS4晶体。 4.根据权利要求3所述的中红外光的全谱测量方法，其中，在步骤二中，采用线阵CMOS探测器对转换后的可见光进行探测。 5.根据权利要求4所述的中红外光的全谱测量方法，其中，所述步骤二包括如下子步骤： 2-1：将所述可见光进行分光；以及 2-2：分光后的可见光通过所述线阵CMOS探测器，从而得到可见光的光强Isignal随像素点P的变化关系。 6.根据权利要求5所述的中红外光的全谱测量方法，其中，所述步骤三包括如下子步骤： 3-1：利用中红外光的频率窗口中的至少两个特征吸收标准样拟合中红外光的波长λMIR与像素点P的函数关系； 3-2：根据可见光的光强Isignal随像素点P的变化关系以及中红外光的波长λMIR与像素点P的函数关系得到中红外光的光强IMIR与中红外光的波长λMIR的关系。 7.根据权利要求6所述的中红外光的全谱测量方法，其中，所述函数关系为线性函数关系或二次函数关系。 8.一种中红外光的全谱测量装置，包括：上转换部件，其包括至少两个上转换晶体，所述至少两个上转换晶体的上转换波段的总和覆盖中红外光的全谱，其中，中红外光与泵浦光同时投射到所述至少两个上转换晶体上发生和频，将所述中红外光上转换为可见光；可见光探测部件，其包括光谱仪和可见光探测器，其中，所述可见光探测器包括可见光探测模块和转换模块，所述可见光探测模块用于探测被所述光谱仪分束的可见光，所述转换模块用于将所述可见光探测模块的输出转化为中红外光的光谱。 9.根据权利要求8所述的中红外光的全谱测量装置，其中，所述可见光探测模块的输出为可见光的光强Isignal随像素点P的变化关系。 10.根据权利要求9所述的中红外光的全谱测量装置，其中，所述转换模块还包括拟合模块，用于拟合中红外光的波长与像素点的函数关系。
所属类别：	发明专利