专利名称: |
具有薄层层析的拉曼检测芯片及分离检测分析物的方法 |
摘要: |
本发明公开一种具有薄层层析的拉曼检测芯片及分离检测分析物的方法。该具有薄层层析的拉曼检测芯片包含一硅基底,包含一第一部分、第二部分、及配置于该第一部分之上的多条纳米线,其中每一纳米线具有一顶端表面及一侧壁;以及,一金属层覆盖该纳米线的顶端表面及至少部分侧壁,其中该纳米线的总长度L为5μm至15μm。该金属层覆盖的该纳米线侧壁的长度L1与该纳米线的总长度L的比为0.2至0.8。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
中国台湾;71 |
申请人: |
财团法人工业技术研究院 |
发明人: |
林鼎晸;严大任;李璧伸;黄致豪 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2017-12-27T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-05-28T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201711444998.4 |
公开号: |
CN109813696A |
代理机构: |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人: |
陈小雯 |
分类号: |
G01N21/65(2006.01);G;G01;G01N;G01N21 |
申请人地址: |
中国台湾新竹县 |
主权项: |
1.一种具有薄层层析的拉曼检测芯片,其特征在于,包含: 硅基底,包含第一部分、第二部分、及配置于该第一部分之上的多条纳米线,其中每一纳米线具有顶端表面及侧壁;以及 金属层,覆盖该纳米线的顶端表面及至少部分侧壁,其中该纳米线的总长度L为5μm至15μm。 2.如权利要求1所述的具有薄层层析的拉曼检测芯片,其中该金属层由多个金属颗粒所构成,该金属层的厚度为20nm至100nm。 3.如权利要求1所述的具有薄层层析的拉曼检测芯片,其中该多个金属颗粒的材料是银(Ag)、金(Au)、铝(Al)、铜(Cu)、锡(Sn)、钛(Ti)、钡(Ba)、铂(Pt)、钴(Co)、或上述的组合。 4.如权利要求1所述的具有薄层层析的拉曼检测芯片,其中该纳米线的顶端表面的直径为50nm至200nm,任意两相邻的该纳米线相隔的距离为50nm至200nm。 5.如权利要求1所述的具有薄层层析的拉曼检测芯片,其中该金属层覆盖的该纳米线侧壁的长度L1与该纳米线的总长度L的比为0.2至0.8。 6.如权利要求1所述的具有薄层层析的拉曼检测芯片,其中被该金属层覆盖的该纳米线侧壁的长度L1与该纳米线的总长度L的比为0.3至0.74。 7.如权利要求1所述的具有薄层层析的拉曼检测芯片,还包含: 修饰层,形成于未被该金属层覆盖的该纳米线侧壁上,其中该修饰层为氧化硅、氮化硅、氧化铝,或可调整硅表面的极性(polarity)的官能化修饰材料。 8.如权利要求1所述的具有薄层层析的拉曼检测芯片,其中该第一部分具有多个区域。 9.如权利要求8所述的具有薄层层析的拉曼检测芯片,其中该多个区域为中线互相平行的长条形(strip shaped),或多个三角形(triangle shaped)区域。 10.如权利要求9所述的具有薄层层析的拉曼检测芯片,其中该多个区域具有不同的面积。 11.一种分离检测分析物的方法,其特征在于,包含: 提供如权利要求1所述的具有薄层层析的拉曼检测芯片; 提供一样品,其中该样品包含一溶剂及至少一种待测化合物; 将该样品点附于该具有薄层层析的拉曼检测芯片上; 通过一薄层层析法分离该样品,得到至少一个分析点;以及 对该分析点进行一表面增强拉曼光谱测量。 |
所属类别: |
发明专利 |