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原文传递一种单晶硅棒切方工艺

专利名称：	一种单晶硅棒切方工艺
摘要：	本发明涉及一种单晶硅棒切方工艺，包括下列步骤：选取长度在220～500mm之间，直径在153～160mm之间的单晶硅圆棒并用粘胶垂直粘接在切方机的晶托上；将切方机的晶托和单晶硅圆棒放置在切方机加磁工作台上，编号记录，加磁固定晶托和单晶硅圆棒；校准定位台，设定加工切割参数，开动切方机进行带砂切割；将切割后的半成品脱胶、去除边皮并分离晶托；检验上述经过脱胶并分离晶托处理后的半成品是否合格。本发明切割效果良好，合格率大幅度提高，极大地提高了机器的工作效率；导向轮间距经过修正后，即使切割中带砂不够，也能保证整个尺寸控制在公差值以内。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	四川;51
申请人：	四川高铭科技有限公司
发明人：	韩勇
专利状态：	有效
申请日期：	2017-11-28T00:00:00+0800
发布日期：	2019-06-04T00:00:00+0800
申请号：	CN201711214396.X
公开号：	CN109834851A
分类号：	B28D1/22(2006.01);B;B28;B28D;B28D1
申请人地址：	625000 四川省雅安市名山经济开发区
主权项：	1.一种单晶硅棒切方工艺，其特征在于：单晶硅棒切方工艺包括如下步骤： (1)选取长度在220～500mm之间，直径在153～160mm之间的单晶硅圆棒，将单晶硅圆棒用粘胶垂直粘接在切方机的晶托上并在常温下冷却，粘胶温度为380～420℃，单晶硅圆棒的垂直偏差角度在±1.5度以内； (2)将切方机的晶托和单晶硅圆棒放置在切方机加磁工作台上，编号记录，加磁固定晶托和单晶硅圆棒； (3)校准连接定位台，将导向轮间距修正为124.7mm；开动切方机进行带砂切割，其中，砂浆密度为1.70～1.82g/cm3；砂浆温度为24.5～25.5℃；砂浆流量为110L/min～130L/min；新线放给量为30m/min；切割平均速度为580～620m/min；切割速度530um/min (4)将上述切割后的半成品转移到30～35℃温水中放置10～15min后，再放入58～62℃的热水中进行脱胶，去除边皮并分离晶托； (5)检验上述经过脱胶并分离晶托处理后的半成品，边长公差在±0.1mm以内，垂直偏差度在90°±1.5以内。 2.根据权利要求1所述的一种单晶硅棒切方工艺，其特征还在于所述砂浆的配制：将碳化硅F360和碳化硅W800按6∶4重量比混合均匀制成混合物；再将混合物与聚乙二醇按1∶1.05重量比混合并搅拌均匀，配制成砂浆。
所属类别：	发明专利