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一种用于同步辐射共聚焦荧光实验的标样制备方法
| 专利名称： | 一种用于同步辐射共聚焦荧光实验的标样制备方法 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于同步辐射共聚焦荧光实验的标样制备方法，其包括以下步骤：步骤S101，在一硅衬底的整个顶面上沉积一铜薄膜，并切割带有所述铜薄膜的硅衬底；步骤S102，刻蚀所述铜薄膜以及紧邻该铜薄膜的具有部分厚度的所述硅衬底，以形成一铜条带和一第一衬底部；以及步骤S103，刻蚀所述铜条带以及第一衬底部，以形成一铜系带和一第二衬底部。通过本发明制备的标样可以便于更精确地校准同步辐射共聚焦荧光实验中的设备，提升共聚焦微元标定的准确度。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 上海;31 |
| 申请人： | 中国科学院上海应用物理研究所 |
| 发明人： | 闫帅;张丽丽;王华;常广才;岳帅鹏;杨一鸣 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-01-23T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-06-04T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910062762.7 |
| 公开号： | CN109839398A |
| 代理机构： | 上海智信专利代理有限公司 |
| 代理人： | 邓琪;杨希 |
| 分类号： | G01N23/223(2006.01);G;G01;G01N;G01N23 |
| 申请人地址： | 201800 上海市嘉定区嘉罗公路2019号 |
| 主权项： | 1.一种用于同步辐射共聚焦荧光实验的标样制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 步骤S101，在一硅衬底的整个顶面上沉积一铜薄膜，并切割带有所述铜薄膜的硅衬底，以使其具有第一长度和第一宽度； 步骤S102，刻蚀所述铜薄膜以及紧邻该铜薄膜的具有部分厚度的所述硅衬底，以形成具有第二宽度的一铜条带和一第一衬底部，其中，所述第二宽度小于所述第一宽度；以及 步骤S103，刻蚀所述铜条带以及第一衬底部，以使所述铜条带和第一衬底部的延长度方向延伸的两个相对的侧面在其中间位置处分别向内凹入，从而形成具有第三宽度和第二长度的一铜系带和一第二衬底部，其中，所述第三宽度小于所述第二宽度； 其中，所述铜薄膜的厚度为5-20nm，所述第三宽度为5-10μm。 2.根据权利要求1所述的用于同步辐射共聚焦荧光实验的标样制备方法，其特征在于，在所述步骤S101中，通过磁控溅射法或分子束外延法沉积所述铜薄膜。 3.根据权利要求1所述的用于同步辐射共聚焦荧光实验的标样制备方法，其特征在于，所述第一长度为3-7mm，所述第一宽度为0.8-1.2mm。 4.根据权利要求1所述的用于同步辐射共聚焦荧光实验的标样制备方法，其特征在于，所述步骤S102通过离子束刻蚀法实现。 5.根据权利要求1所述的用于同步辐射共聚焦荧光实验的标样制备方法，其特征在于，所述第二宽度为50-200μm。 6.根据权利要求1所述的用于同步辐射共聚焦荧光实验的标样制备方法，其特征在于，所述步骤S103通过聚焦离子束刻蚀法实现。 7.根据权利要求1所述的用于同步辐射共聚焦荧光实验的标样制备方法，其特征在于，所述第二长度为20-50μm。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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