专利名称: |
用于检测多巴胺的电化学传感器的制备方法 |
摘要: |
本发明公开了用于检测多巴胺的电化学传感器的制备方法,包括:步骤一、将氨基化还原氧化石墨烯滴加到玻碳电极的表面,干燥,得氨基化还原氧化石墨烯修饰玻碳电极;步骤二,将所述氨基化还原氧化石墨烯修饰玻碳电极放入氯铂酸、氯金酸和硫酸混合液中,经恒电位电沉积法沉积后,取出,洗净,晾干,即得。本发明的制备方法简单,易操作,且制得的电化学传感器对多巴胺的检测快速、灵敏度高,电化学响应高,特异性好。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
广西;45 |
申请人: |
广西师范学院 |
发明人: |
肖琦;黄珊;李家文;金晓宇 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2019-03-07T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-06-07T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201910172111.3 |
公开号: |
CN109856207A |
代理机构: |
北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) |
代理人: |
靳浩 |
分类号: |
G01N27/30(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
申请人地址: |
530001 广西壮族自治区南宁市西乡塘区明秀东路175号 |
主权项: |
1.用于检测多巴胺的电化学传感器的制备方法,其特征在于,包括: 步骤一、将氨基化还原氧化石墨烯滴加到玻碳电极的表面,干燥,得氨基化还原氧化石墨烯修饰玻碳电极; 步骤二,将所述氨基化还原氧化石墨烯修饰玻碳电极放入氯铂酸、氯金酸和硫酸混合液中,经恒电位电沉积法沉积后,取出,洗净,晾干,即得。 2.如权利要求1所述的用于检测多巴胺的电化学传感器的制备方法,其特征在于,步骤一中,所述玻碳电极在滴加所述氨基化还原氧化石墨烯前,还进行了抛光处理,具体为:在抛光布上依次使用粒径为1.0μm、0.3μm和0.05μm的抛光粉打磨所述玻碳电极,然后用超纯水冲洗,再依次在丙酮、0.5mol/L的硫酸和超纯水中超声3min,每次超声后都用超纯水清洗,最后置于室温下晾干。 3.如权利要求1所述的用于检测多巴胺的电化学传感器的制备方法,其特征在于,步骤一中,具体为:取1ml浓度为0.5mg/ml的氨基化还原氧化石墨烯,超声处理5min后,用移液枪移取5μL超声处理过的氨基化还原氧化石墨烯,将其滴加在所述玻碳电极的表面,然后置于红外线快速干燥箱中干燥20分钟后取出,冷却至室温,得氨基化还原氧化石墨烯修饰玻碳电极。 4.如权利要求3所述的用于检测多巴胺的电化学传感器的制备方法,其特征在于,步骤二中,所述氯铂酸、氯金酸和硫酸混合液中氯铂酸的浓度为2mM、氯金酸的浓度为2mM、硫酸的浓度为0.1M。 5.如权利要求4所述的用于检测多巴胺的电化学传感器的制备方法,其特征在于,步骤二中,沉积电位为-0.2V,沉积时间为350s。 6.如权利要求5所述的用于检测多巴胺的电化学传感器的制备方法,其特征在于,所述玻碳电极包括电极外套、位于所述电极外套内并沿其轴向设置的电极芯和导线柱,所述导线柱的一端与所述电极芯的非工作端连接,另一端延伸至所述电极外套外,所述电极芯的工作端与所述电极外套的端面齐平,且所述电极芯的工作端上设置有彼此不交互的深度为0.5-1mm、宽度为0.3-0.5mm的至少三条沟槽,所述氨基化还原氧化石墨烯滴加在所述电极芯的工作端和沟槽内。 7.如权利要求6所述的用于检测多巴胺的电化学传感器的制备方法,其特征在于,所述至少三条沟槽为三条沟槽,沟槽的长度为所述玻碳电极直径的1/3。 8.如权利要求7所述的用于检测多巴胺的电化学传感器的制备方法,其特征在于,所述沟槽内填充有石墨纤维,所述氨基化还原氧化石墨烯滴加在所述电极芯的工作端和所述石墨纤维的表面。 9.如权利要求8所述的用于检测多巴胺的电化学传感器的制备方法,其特征在于,步骤一中,所述玻碳电极在抛光处理后,滴加所述氨基化还原氧化石墨烯前还包括,用移液枪向抛光处理后的玻碳电极的表面滴加5μL的铈/二氧化硅分散液,干燥,所述铈/二氧化硅分散液的制备方法为:将0.5gCe(NO3)3·6H2O溶于100ml去离子水中,再加入25g纳米二氧化硅,充分搅拌后,静置24h,然后转入真空干燥箱内,于100℃下干燥14h,再转入马弗炉中,以升温速率15℃/min升温至300℃,保温10min,再以升温速率5℃/min升温至500℃,保温2h,冷却后,取出,溶于50ml去离子水中,超声处理10min,即得。 10.如权利要求9所述的用于检测多巴胺的电化学传感器的制备方法,其特征在于,步骤二中,还包括,将经恒电位电沉积法沉积后的玻碳电极,取出、洗净后,放入磁化器中进行磁化处理,具体为:先将所述氨基化还原氧化石墨烯和Pt-Au双金属修饰玻碳电极于10T的磁场强度下处理10min,再于14T的磁场强度下处理15min,最后于20T的磁场强度下处理15min。 |
所属类别: |
发明专利 |