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原文传递半导体测试系统及其测试方法

专利名称：	半导体测试系统及其测试方法
摘要：	本发明涉及一种半导体测试系统及其测试方法，提供一待测样品，所述待测样品包含待测试的目标区域；对所述待测样品进行研磨，形成预制样品，所述预制样品的厚度与单片晶圆厚度一致，所述目标区域的待测截面垂直于所述预制样品的厚度方向；在所述预制样品的两侧侧壁粘贴陪片晶圆，所述陪片晶圆的表面与所述预制样品的表面齐平；将所述陪片晶圆表面和所述预制样品的表面作为一个整体平面进行研磨，直至暴露出所述目标区域的待测截面；对所述待测截面进行测试，获取所述目标区域的电性和/或物体特征信息。上述半导体测试系统及其测试方法能够提高半导体测试结果的准确性。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	湖北;42
申请人：	长江存储科技有限责任公司
发明人：	魏磊
专利状态：	有效
申请日期：	2019-01-31T00:00:00+0800
发布日期：	2019-06-11T00:00:00+0800
申请号：	CN201910100813.0
公开号：	CN109870336A
代理机构：	上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：	董琳
分类号：	G01N1/28(2006.01);G;G01;G01N;G01N1
申请人地址：	430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
主权项：	1.一种半导体测试方法，其特征在于，包括：提供一待测样品，所述待测样品包含待测试的目标区域；对所述待测样品进行研磨，形成预制样品，所述目标区域位于所述预制样品内，且所述预制样品的厚度与单片晶圆厚度一致，所述目标区域的待测截面垂直于所述预制样品的厚度方向，所述预制样品厚度方向上的表面为预制样品的侧壁；在所述预制样品的两侧侧壁粘贴陪片晶圆，所述陪片晶圆的厚度与所述预制样品厚度一致，所述陪片晶圆的表面与所述预制样品的表面齐平；将所述陪片晶圆表面和所述预制样品的表面作为一个整体平面进行研磨，直至暴露出所述目标区域的待测截面；将所述研磨后的陪片晶圆和预制样品整体作为测试样品，对所述待测截面进行测试，获取所述目标区域的电性和/或物理特征信息。 2.根据权利要求1所述的半导体测试方法，其特征在于，所述半导体测试为电容测试。 3.根据权利要求2所述的半导体测试方法，，其特征在于，在所述电容测试过程中，将所述扫描电容显微镜的测试探针与所述待测截面接触并以行列扫描方式进行移动，同时在所述测试探针与所述测试样品之间加一低频交流电场。 4.根据权利要求1所述的半导体测试方法，其特征在于，采用抛光布对所述陪片晶圆表面和所述预制样品的表面进行研磨。 5.根据权利要求1所述的半导体测试方法，其特征在于，还包括：在所述预制样品的侧壁粘贴陪片晶圆之前，将所述预制样品的底面固定于一半导体底板表面。 6.根据权利要求5所述的半导体测试方法，其特征在于，所述预制样品与所述半导体底板之间通过导电胶固定，所述陪片晶圆底部也固定于所述半导体底板表面。 7.根据权利要求1所述的半导体测试方法，其特征在于，所述预制样品侧壁与所述陪片晶圆之间通过胶层固定，所述胶层的厚度小于等于1μm。 8.根据权利要求6所述的半导体测试方法，其特征在于，还包括：将所述陪片晶圆表面和所述预制样品的表面作为整体进行研磨之前，将所述陪片晶圆与半导体底板边缘打磨至齐平。 9.根据权利要求6所述的半导体测试方法，其特征在于，所述陪片晶圆和半导体底板为相同的材料。 10.根据权利要求1所述的半导体测试方法，其特征在于，所述目标区域在三维坐标系中，至少在一个坐标方向上的长度小于等于1μm。 11.根据权利要求1所述的半导体测试方法，其特征在于，所述预制样品表面与所述待测截面之间的距离大于等于1μm；所述目标区域与所述预制样品的侧壁之间的距离大于等于1μm。 12.一种半导体测试系统，其特征在于，包括：测试样品和测试机台；所述测试样品包括：一包含目标区域的预制样品，所述预制样品的测试表面垂直于所述预制样品的厚度方向且暴露出所述目标区域的待测截面；粘贴于所述预制样品厚度方向上的两侧侧壁的陪片晶圆，所述陪片晶圆表面与所述预制样品的测试表面齐平，且厚度一致，均小于单片裸晶圆的厚度；所述测试机台用于对所述测试样品的待测截面进行测试，获取所述目标区域的电性和/或物理特征信息。 13.根据权利要求12所述的半导体测试系统，其特征在于，所述测试机台包括扫描电容显微镜，所述扫描电容显微镜的探针用于与所述待测截面接触，并以行列扫描方式进行移动，同时在所述测试探针与所述测试样品之间加一低频交流电场。 14.根据权利要求12所述的半导体测试系统，其特征在于，所述测试机台还包括：超高频电容传感器，用于测量获取目标区域的电容值。 15.根据权利要求12所述的半导体测试系统，其特征在于，所述陪片晶圆与所述预制样品的测试表面的连接处具有连续的研磨痕迹。 16.根据权利要求12所述的半导体测试系统，其特征在于，所述目标区域在三维坐标系中，至少一个坐标方向上的尺寸小于等于1μm。 17.根据权利要求12所述的半导体测试系统，其特征在于，所述测试样品还包括半导体底板，所述预制样品的底面固定于所述半导体底板表面；所述陪片晶圆底部固定于所述半导体底板表面。 18.根据权利要求17所述的半导体测试系统，其特征在于，所述预制样品底面与所述半导体底板表面之间通过导电胶固定。 19.根据权利要求12所述的半导体测试系统，其特征在于，所述陪片晶圆通过一胶层粘附于所述预制样品侧壁，所述胶层的厚度小于等于1μm。 20.根据权利要求12所述的半导体测试系统，其特征在于，所述目标区域与所述预制样品的厚度方向上的侧壁之间的距离大于等于1μm。
所属类别：	发明专利