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原文传递半导体性单壁碳纳米管的纯度测量方法

专利名称：	半导体性单壁碳纳米管的纯度测量方法
摘要：	提供了一种半导体性单壁碳纳米管的纯度测量方法，其包括：使用半导体性单壁碳纳米管样品形成半导体性单壁碳纳米管溶液；测量半导体性单壁碳纳米管溶液的吸收光谱；以及基于吸收光谱中的极值确定出半导体性单壁碳纳米管样品的纯度。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	北京;11
申请人：	北京华碳元芯电子科技有限责任公司
发明人：	韩杰
专利状态：	有效
申请日期：	2017-12-01T00:00:00+0800
发布日期：	2019-06-11T00:00:00+0800
申请号：	CN201711246759.8
公开号：	CN109870418A
代理机构：	北京鼎承知识产权代理有限公司
代理人：	孟奎;李伟波
分类号：	G01N21/31(2006.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	100086 北京市海淀区中关村北大街123号64号楼(2415室)
主权项：	1.半导体性单壁碳纳米管的纯度测量方法，其特征在于，所述方法包括：使用半导体性单壁碳纳米管样品形成半导体性单壁碳纳米管溶液；测量所述半导体性单壁碳纳米管溶液的吸收光谱；以及基于所述吸收光谱中的极值确定出所述半导体性单壁碳纳米管样品的纯度。 2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述吸收光谱中的极值确定出所述半导体性单壁碳纳米管样品的纯度的步骤还包括：通过所述吸收光谱计算出第一吸光度比值；以及基于所述第一吸光度比值，确定出所述半导体性单壁碳纳米管样品的纯度，所述第一吸光度比值为所述吸收光谱中S22区中的吸光度最大值或S11区中的吸光度最大值与M11区中的吸光度最小值之间的比值。 3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述吸收光谱中的极值确定出所述半导体性单壁碳纳米管样品的纯度的步骤还包括：通过所述吸收光谱计算出第二吸光度比值；以及基于所述第二吸光度比值，确定出所述半导体性单壁碳纳米管样品的纯度，所述第二吸光度比值为所述吸收光谱中S22区中的吸光度最大值与所述S22区中除所述吸光度最大值之外的吸光度极大值之间的比值，或所述吸收光谱中S11区中的吸光度最大值与所述S11区中除所述吸光度最大值之外的吸光度极大值之间的比值。 4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述使用半导体性单壁碳纳米管样品形成半导体性单壁碳纳米管溶液的步骤包括：将所述半导体性单壁碳纳米管样品溶解在水或有机溶剂中，以形成所述半导体性单壁碳纳米管溶液。 5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一吸光度比值，确定出所述半导体性单壁碳纳米管样品的纯度的步骤包括：基于预先确定的所述第一吸光度比值与半导体性单壁碳纳米管的纯度的对应关系，确定出与所述第一吸光度比值相对应的所述半导体性单壁碳纳米管的纯度。 6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：建立第一吸光度比值与半导体性单壁碳纳米管的纯度的对应关系，以及所述基于所述第一吸光度比值，确定出所述半导体性单壁碳纳米管样品的纯度的步骤包括：根据所述对应关系，确定出与所述第一吸光度比值对应的半导体性单壁碳纳米管的纯度。 7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述建立第一吸光度比值与半导体性单壁碳纳米管的纯度的对应关系的步骤包括：使用多个半导体性单壁碳纳米管样品形成多个半导体性单壁碳纳米管溶液，所述多个半导体性单壁碳纳米管样品具有不同的纯度；测量所述多个半导体性单壁碳纳米管溶液的吸收光谱，以确定出多个第一吸光度比值；以及基于所述多个第一吸光度比值与所述多个半导体性单壁碳纳米管样品的不同的纯度建立所述对应关系。 8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述第二吸光度比值，确定出所述半导体性单壁碳纳米管样品的纯度的步骤包括：基于预先确定的所述第二吸光度比值与半导体性单壁碳纳米管的纯度的对应关系，确定出与所述第二吸光度比值相对应的所述半导体性单壁碳纳米管的纯度。 9.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法包括：建立第二吸光度比值与半导体性单壁碳纳米管的纯度的对应关系，以及所述基于所述第二吸光度比值，确定出所述半导体性单壁碳纳米管样品的纯度的步骤包括：根据所述对应关系，确定出与所述第二吸光度比值对应的半导体性单壁碳纳米管的纯度。 10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述建立第二吸光度比值与半导体性单壁碳纳米管的纯度的对应关系的步骤包括：使用多个半导体性单壁碳纳米管样品形成多个半导体性单壁碳纳米管溶液，所述多个半导体性单壁碳纳米管样品具有不同的纯度；测量所述多个半导体性单壁碳纳米管溶液的吸收光谱，以确定出多个第二吸光度比值；以及基于所述多个第二吸光度比值与所述多个半导体性单壁碳纳米管样品的不同的纯度建立所述对应关系。
所属类别：	发明专利