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原文传递半导体材料的能隙测量方法及装置

专利名称：	半导体材料的能隙测量方法及装置
摘要：	本公开提供了一种半导体材料的能隙测量方法及装置，测量方法包括获得测量样品并放置于测量装置中；调整测量电子束与测量样品测量面的位置关系并发射测量电子束；以及采集测量电子束的能量损失光谱以得到测量样品的能隙值，其中，所述测量电子束出射的方向与所述测量样品测量面之间平行。通过将测量电子束与测量样品的测量面之间设置为彼此平行进而使得二者之间不接触，以避免采集得到的电子能量损失谱中包含激元信息，进而提升了能隙测量的精确度。
专利类型：	发明专利
申请人：	长江存储科技有限责任公司
发明人：	李国梁;魏强民
专利状态：	有效
申请日期：	1900-01-20T22:00:00+0805
发布日期：	1900-01-20T00:00:00+0805
申请号：	CN202010073830.2
公开号：	CN111198198A
代理机构：	北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人：	岳丹丹
分类号：	G01N23/22;G;G01;G01N;G01N23;G01N23/22
申请人地址：	430074 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
主权项：	1.一种半导体材料的能隙测量方法，其中，包括：获得测量样品并放置于测量装置中；调整测量电子束与测量样品测量面的位置关系并发射测量电子束；以及采集测量电子束的能量损失光谱以得到测量样品的能隙值，其中，所述测量电子束出射的方向与所述测量样品测量面之间平行。 2.根据权利要求1所述的测量方法，其中，所述测量电子束与测量样品测量面之间的距离为1nm～5nm。 3.根据权利要求1所述的测量方法，其中，所述测量方法在真空环境下执行。 4.根据权利要求1所述的测量方法，其中，所述测量电子束的能量损失光谱的波谷处的能量值表征所述测量样品的能隙值。 5.根据权利要求1所述的测量方法，其中，获得待测样品制成测量样品的步骤包括：根据所述测量样品的测量面中通过所述测量电子束的预设距离得到测量面具有预设长度的所述测量样品。 6.根据权利要求5所述的测量方法，其中，当能隙测量过程中需要成像时，所述测量样品的测量面中通过所述测量电子束的距离为100nm～500nm。 7.根据权利要求5所述的测量方法，其中，当能隙测量过程中不需要成像时，所述测量样品的测量面中通过所述测量电子束的距离为0.5微米～10微米。 8.根据权利要求5所述的测量方法，其中，所述预设距离与所述预设长度相同。 9.一种半导体材料的能隙测量装置，其中，包括：电子生成系统，用于产生并射出测量电子束；载物台，用于放置测量样品；以及电子能量分析系统，采集所述测量电子束位于所述测量样品的测量面时的电子能量损失光谱，并分析得到所述测量样品的能隙值，其中，调整所束电子生成系统与所述载物台的位置关系以使得所述测量电子束出射的方向与所述测量样品测量面之间平行。 10.根据权利要求9所述的测量装置，其中，还包括：位于所述电子生成系统中的第一调整模块以及位于所述载物台上的第二调整模块，通过调整所述第一调整模块和/或第二调整模块，以使得所述测量电子束与测量样品测量面之间的距离为1nm～5nm。 11.根据权利要求9所述的测量装置，其中，所述测量装置的测量环境为真空环境。
所属类别：	发明专利