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一种测量半导体薄膜材料光学带隙的新方法
| 专利名称： | 一种测量半导体薄膜材料光学带隙的新方法 |
| 摘要： | 本发明属于半导体薄膜检测领域，特别涉及一种测量半导体薄膜材料 光学带隙的方法。本发明从结果拟合角度对透射和反射光谱进行解谱分 析，求出准确的吸收系数，在此基础上采用Tauc公式求出准确的光学带隙。 本发明方法对现有技术所存在的问题进行了严格的计算分析和处理，可以 消除光在膜基系统的反射对透射的影响和衬底的吸收对透射的影响这两 个问题造成的误差，使光学带隙的准确程度大幅提高。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 河北;13 |
| 申请人： | 新奥光伏能源有限公司 |
| 发明人： | 张晓勇;郭 铁 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2009-07-29T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN200910089681.2 |
| 公开号： | CN101609002 |
| 代理机构： | 北京连城创新知识产权代理有限公司 |
| 代理人： | 刘伍堂 |
| 分类号： | G01N21/25(2006.01)I |
| 申请人地址： | 065001河北省廊坊市经济技术开发区华祥路106号 |
| 主权项： | 1、一种测量半导体薄膜材料光学带隙的新方法，其步骤包括： (1)、首先测试空白玻璃基底的反射和透射光谱，求出玻璃基底的光 学参数，所述光学参数包括玻璃基底对不同波长的入射光的折射率和消光 系数。 (2)、测试膜基系统的反射和透射光谱，把玻璃基底的光学参数代入 反射或透射方程，对透明区的反射或透射光谱进行曲线拟合，求出薄膜厚 度。 (3)、把玻璃基底的折射率、消光系数和薄膜厚度代入膜基系统的反 射率和透)射率方程，利用理论光谱和测试光谱拟合的方法，求出薄膜的 折射率和消光系数； (4)、根据薄膜的消光系数计算薄膜的吸收系数； (5)、把得到的吸收系数代入Tauc公式求出Y值，按照Y＝f(hv) 关系作图，对线性较好区域进行线性拟合，求出薄膜的光学带隙。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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