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原文传递一种制备湿度传感器中氧化石墨烯的方法

专利名称：	一种制备湿度传感器中氧化石墨烯的方法
摘要：	本发明公开的一种制备湿度传感器中氧化石墨烯的方法，包括如下步骤：S01：提供湿度传感器，所述湿度传感器包括叉指电极；S02：在所述叉指电极周围制备围墙，所述围墙在叉指电极正上方形成凹槽，且凹槽的水平截面面积等于叉指电极的水平截面面积；S03：将氧化石墨烯溶液注入所述凹槽内；S04：加热所述凹槽内的氧化石墨烯溶液，使得所述氧化石墨烯溶液中的溶剂全部蒸发；S05：将含有氧化石墨烯的湿度传感器进行退火，形成位于叉指电极上的氧化石墨烯。本发明提供的一种制备湿度传感器中氧化石墨烯的方法，可以在叉指电极上形成厚度均匀可控的氧化石墨烯薄膜，从而使得氧化石墨烯湿度传感器的性质稳定，能够实现量产。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	上海;31
申请人：	上海集成电路研发中心有限公司
发明人：	沈若曦
专利状态：	有效
申请日期：	2019-02-28T00:00:00+0800
发布日期：	2019-06-11T00:00:00+0800
申请号：	CN201910148627.4
公开号：	CN109870489A
代理机构：	上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：	吴世华;尹一凡
分类号：	G01N27/22(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	201210 上海市浦东新区张江高斯路497号
主权项：	1.一种制备湿度传感器中氧化石墨烯的方法，其特征在于，包括如下步骤： S01：提供湿度传感器，所述湿度传感器包括叉指电极； S02：在所述叉指电极周围制备围墙，所述围墙在叉指电极正上方形成凹槽，且凹槽的水平截面面积等于叉指电极的水平截面面积； S03：将氧化石墨烯溶液注入所述凹槽内； S04：加热所述凹槽内的氧化石墨烯溶液，使得所述氧化石墨烯溶液中的溶剂全部蒸发； S05：将含有氧化石墨烯的湿度传感器进行退火；形成位于叉指电极上的氧化石墨烯。 2.根据权利要求1所述的一种制备湿度传感器中氧化石墨烯的方法，其特征在于，所述围墙由光刻胶或者二氧化硅制备而成。 3.根据权利要求2所述的一种制备湿度传感器中氧化石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤S02中制备光刻胶围墙的具体步骤为： S021：在所述叉指电极上旋涂光刻胶层；所述光刻胶层完全覆盖叉指电极，且光刻胶层的水平截面面积大于叉指电极的水平截面面积； S022：通过光刻工艺形成位于叉指电极周围的光刻胶围墙。 4.根据权利要求2所述的一种制备湿度传感器中氧化石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤S02中制备二氧化硅围墙的具体步骤为： S021：在所述叉指电极上旋涂光刻胶层，所述光刻胶层完全覆盖叉指电极，且光刻胶层的水平截面面积大于叉指电极的水平截面面积； S022：图形化光刻胶层，在位于叉指电极上表面的光刻胶层与位于叉指电极周围的光刻胶层之间形成间隙； S023：在光刻胶层上表面以及间隙中生长二氧化硅层； S024：去除光刻胶层以及光刻胶层上表面的二氧化硅，形成位于叉指电极周围的二氧化硅围墙。 5.根据权利要求4所述的一种制备湿度传感器中氧化石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤S023中采用化学气相沉积的方式生长二氧化硅层。 6.根据权利要求1所述的一种制备湿度传感器中氧化石墨烯的方法，其特征在于，所述氧化石墨烯溶液中溶剂为水、乙醇、丙醇、异丙醇的混合物。 7.根据权利要求1所述的一种制备湿度传感器中氧化石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤S04中加热温度为30-70℃。 8.根据权利要求1所述的一种制备湿度传感器中氧化石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤S05中退火温度为400-100℃，退火时间为1-5小时。 9.根据权利要求1所述的一种制备湿度传感器中氧化石墨烯的方法，其特征在于，所述围墙的高度为10-200微米。 10.根据权利要求1所述的一种制备湿度传感器中氧化石墨烯的方法，其特征在于，所述围墙的宽度为0-5微米。
所属类别：	发明专利