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原文传递量子点生物传感器

专利名称：	量子点生物传感器
摘要：	本发明涉及量子点生物传感器，并且根据本发明的一个方面，提供了生物传感器，其包括：基底；设置在所述基底上的栅电极；设置在所述栅电极上的绝缘层；分别设置在所述绝缘层上的源电极和漏电极；设置在所述源电极与所述漏电极之间的n型沟道；以及设置在所述n型沟道上并且设置成具有能够与目标生物材料的振动能共振的电子跃迁能的量子点层。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	韩国;KR
申请人：	株式会社LG化学
发明人：	郑广燮;慎恒范;郑暎道;尹碧娜;崔栋善;郑朱妍
专利状态：	有效
申请日期：	2017-11-02T00:00:00+0800
发布日期：	2019-06-18T00:00:00+0800
申请号：	CN201780068078.9
公开号：	CN109906375A
代理机构：	北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：	赵丹;郑毅
分类号：	G01N27/327(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	韩国首尔
主权项：	1.一种生物传感器，包括：基底；设置在所述基底上的栅电极；设置在所述栅电极上的绝缘层；分别设置在所述绝缘层上的源电极和漏电极；设置在所述源电极与所述漏电极之间的n型沟道；以及设置在所述n型沟道上并且设置成具有能够与目标生物材料的振动能共振的电子跃迁能的量子点层，其中所述量子点为胶体量子点。 2.根据权利要求1所述的生物传感器，包括用于收集所述目标生物材料的收集部，所述收集部被设置在所述量子点层上。 3.根据权利要求2所述的生物传感器，其中所述收集部包含一种或更多种收集分子。 4.根据权利要求3所述的生物传感器，其中所述收集分子被固定在所述量子点的弯曲表面部分上。 5.根据权利要求1所述的生物传感器，其中所述量子点为选自以下中的任一者或更多者：CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、CdHgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe、Si、Ge、SiC和SiGe。 6.根据权利要求1所述的生物传感器，其中所述量子点为经配体取代的量子点。 7.根据权利要求6所述的生物传感器，其中所述量子点为经有机配体和无机配体中的至少一种配体取代的量子点。 8.根据权利要求1所述的生物传感器，其中所述n型沟道由选自以下中的任一种n型材料组成：IGZO、ZnO、ZTO、IZO、IHZO、AlN、InN、GaN和InGaN。 9.一种生物传感器，包括：基底；设置在所述基底上的栅电极；设置在所述栅电极上的绝缘层；分别设置在所述绝缘层上的源电极和漏电极；以及量子点层，所述量子点层被设置在所述绝缘层上，被设置成使所述源电极和所述漏电极电连接，并且被设置成具有能够与目标生物材料的振动能共振的电子跃迁能，其中所述量子点为胶体量子点。 10.根据权利要求9所述的生物传感器，包括用于收集所述目标生物材料的收集部，所述收集部被设置在所述量子点层上。
所属类别：	发明专利