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原文传递气体检测传感器

专利名称：	气体检测传感器
摘要：	本发明涉及气体检测传感器，并且根据本发明的一个方面，提供了一种气体检测传感器，其包括：基底；设置在所述基底上的栅电极；设置在所述栅电极上的绝缘层；分别设置在所述绝缘层上的源电极和漏电极；设置在所述源电极与所述漏电极之间的n型沟道；以及设置在所述n型沟道上并且设置成具有能够与目标气体分子的振动能共振的电子跃迁能的量子点层。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	韩国;KR
申请人：	株式会社LG化学
发明人：	郑广燮;慎恒范;崔栋善;尹碧娜;郑朱妍
专利状态：	有效
申请日期：	2017-11-02T00:00:00+0800
发布日期：	2019-06-18T00:00:00+0800
申请号：	CN201780067979.6
公开号：	CN109906376A
代理机构：	北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：	赵丹;高世豪
分类号：	G01N27/414(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	韩国首尔
主权项：	1.一种气体检测传感器，包括：基底；设置在所述基底上的栅电极；设置在所述栅电极上的绝缘层；分别设置在所述绝缘层上的源电极和漏电极；设置在所述源电极与所述漏电极之间的n型沟道；以及设置在所述n型沟道上并且设置成具有能够与目标气体分子的振动能共振的电子跃迁能的量子点层。 2.根据权利要求1所述的气体检测传感器，其中所述量子点为胶体量子点。 3.根据权利要求1所述的气体检测传感器，其中所述量子点包含II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族半导体化合物或其组合。 4.根据权利要求3所述的气体检测传感器，其中所述量子点为选自以下中的任一者或更多者： AuS，AuSe，AuTe，AgS，AgSe，AgTe，AgO，CuS，CuSe，CuTe，CuO，CdS，CdSe，CdTe，ZnS，ZnSe，ZnTe，ZnO，HgS，HgSe，HgTe，AuSeS，AuSeTe，AuSTe，AgSeS，AgSeTe，AgSTe，CuSeS，CuSeTe，CuSTe，CdSeS，CdSeTe，CdSTe，ZnSeS，ZnSeTe，ZnSTe，HgSeS，HgSeTe，HgSTe，AuAgS，AuAgSe，AuAgTe，AuCuS，AuCuSe，AuCuTe，AuZnS，AuZnSe，AuZnTe，AuCdS，AuCdSe，AuCdTe，AuHgS，AuHgSe，AuHgTe，AgZnS，AgZnSe，AgZnTe，AgCuS，AgCuSe，AgCuTe，AgCdS，AgCdSe，AgCdTe，AgHgS，AgHgSe，AgHgTe，CuZnS，CuZnSe，CuZnTe，CuCdS，CuCdSe，CuCdTe，CuHgS，CuHgSe，CuHgTe，ZnCdS，ZnCdSe，ZnCdTe，ZnHgS，ZnHgSe，ZnHgTe，CdHgS，CdHgSe，CdHgTe，CdHgZnTe，CdZnSeS，CdZnSeTe，CdZnSTe，CdHgSeS，CdHgSeTe，CdHgSTe，HgZnSeS，HgZnSeTe，HgZnSTe；GaN，GaP，GaAs，GaSb，InN，InP，InAs，InSb，GaNP，GaNAs，GaNSb，GaPAs，GaPSb，InNP，InNAs，InNSb，InPAs，InPSb，GaInNP，GaInNAs，GaInNSb，GaInPAs，GaInPSb，SnS，SnSe，SnTe，PbS，PbSe，PbTe，SnSeS，SnSeTe，SnSTe，PbSeS，PbSeTe，PbSTe，SnPbS，SnPbSe，SnPbTe，SnPbSSe，SnPbSeTe，SnPbSTe，Si，Ge，SiC，和SiGe。 5.根据权利要求1所述的气体检测传感器，其中所述量子点为经配体取代的量子点。 6.根据权利要求5所述的气体检测传感器，其中所述量子点为经有机配体和无机配体中的至少一种配体取代的量子点。 7.根据权利要求1所述的气体检测传感器，其中所述n型沟道由选自IGZO、ZnO、ZTO、IZO、IHZO、AlN、InN、GaN和InGaN中的任一种n型材料组成。 8.一种气体检测传感器，包括：基底；设置在所述基底上的栅电极；设置在所述栅电极上的绝缘层；分别设置在所述绝缘层上的源电极和漏电极；以及设置在所述绝缘层上的设置成使所述源电极和所述漏电极电连接并且设置成具有能够与目标气体分子的振动能共振的电子跃迁能的量子点层。
所属类别：	发明专利