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原文传递一种确定铸造单晶高温合金晶体取向的方法

专利名称：	一种确定铸造单晶高温合金晶体取向的方法
摘要：	一种确定铸造单晶高温合金晶体取向的方法，当晶体以枝晶形态生长时，晶体的一次枝晶方向与<001>方向平行，二次枝晶方向与<010>或<100>方向平行，因此根据铸造单晶高温合金的枝晶生长方向可以确定其晶体取向。本发明基于单晶生长方向与晶体方向存在严格对应关系，并分析了枝晶生长过程中的枝晶分布特征，采用金相观察和定向切割的方式直接在铸造单晶试棒上确定晶体取向，确定的晶体取向精度偏离小于1度，具有简单实用的特点。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	陕西;61
申请人：	西北工业大学
发明人：	刘林;甘斌;郭敏;郭跃岭;张军;傅恒志;胡松松;杨文超;杨敏;李卓然;霍苗;孙德建;黄太文;苏海军
专利状态：	有效
申请日期：	2019-04-01T00:00:00+0800
发布日期：	2019-06-21T00:00:00+0800
申请号：	CN201910257352.8
公开号：	CN109916693A
代理机构：	西北工业大学专利中心
代理人：	慕安荣
分类号：	G01N1/32(2006.01);G;G01;G01N;G01N1
申请人地址：	710072 陕西省西安市友谊西路127号
主权项：	1.一种确定铸造单晶高温合金晶体取向的方法，其特征在于，具体过程是：步骤1，做与二次枝晶方向平行的一次标记线：在经过金相化学腐蚀的单晶试棒端面划线作为一次标记线，该标记线平行于二次枝晶的方向；所述经过金相化学腐蚀的单晶试棒端面的各一次枝晶间距的平均值为156μm～325μm；步骤2，切割单晶试棒：沿所述单晶试棒的轴向切割单晶试棒，得到该单晶试棒的纵剖面；所述纵剖面偏离所述单晶试棒的中心线并平行于所述一次标记线；得到一次标定试件；对所述一次标定试件的纵剖面进行金相处理并化学腐蚀后，得到金相组织显露的纵剖面；确定所述纵剖面中平均单个一次枝晶干在该纵剖面上显露出的长度与平均一次枝晶间距的比值；该比值大于60或小于60；当所述比值大于60时，进入步骤3；当所述比值小于60时，继续对该一次标定试件进行切割，得到二次标定试件；对得到二次标定试件上的斜剖面进行金相处理，并化学腐蚀；步骤3，标定晶体取向：当所述比值大于60时，在纵剖面划线作出<001>方向标记线，该<001>方向标记线平行于一次枝晶方向；此<001>方向标记线所示方向即为单晶<001>方向；在纵剖面上继续划线作出<010>或<100>方向标记线，该<010>或<100>方向标记线垂直于一次枝晶方向；此<010>或<100>方向标记线所示方向即为单晶<010>或<100>方向；当所述比值小于60时，在斜剖面划线作出<001>方向标记线，该<001>方向标记线平行于一次枝晶方向；此<001>方向标记线所示方向即为单晶<001>方向；在斜剖面上继续划线作出<010>或<100>方向标记线，该<010>或<100>方向标记线垂直于一次枝晶方向；此<010>或<100>方向标记线所示方向即为单晶<010>或<100>方向。 2.如权利要求1所述确定铸造单晶高温合金晶体取向的方法，其特征在于，在切割单晶试棒时，所述的切割面偏离所述单晶试棒的中心线，使该单晶试棒一侧边缘的距离小于另一侧的距离。 3.如权利要求2所述确定铸造单晶高温合金晶体取向的方法，其特征在于，所述切割面与该单晶试棒一侧边边缘的距离为1～2.5mm，另一侧对称边边缘的距离为6～24mm。 4.如权利要求1所述确定铸造单晶高温合金晶体取向的方法，其特征在于，所述制作二次标定试件的具体过程是，在所述一次标定试件的纵剖面划线作为二次标记线，并使该二次标记线平行于该纵剖面上显露的一次枝晶的方向；沿所述二次标记线的平行线切割该一次标定试件，在一次标定试件上形成斜剖面，并使所述的斜剖面垂直于所述纵剖面；斜剖面的起始点与终点之间的距离为10mm～25mm。
所属类别：	发明专利