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一种单晶高温合金取向标定方法及其应用
| 专利名称： | 一种单晶高温合金取向标定方法及其应用 |
| 摘要： | 本发明公开了一种单晶高温合金取向标定方法及其应用，所述标定方法包括以下步骤：1)、采用宏观腐蚀剂将单晶样品进行表面宏观腐蚀，根据腐蚀后的枝晶形貌判断出枝晶的生长方向；2)、切割出垂直于枝晶生长方向的第一平面，采用金相腐蚀剂腐蚀第一平面，根据第一平面上二次枝晶形成的十字花样作两条分别平行于十字花样的横标记线、竖标记线；3)、在单晶样品上切割出平行于枝晶生长方向的第二平面和第三平面，第二平面和第三平面分别平行于横标记线、竖标记线，在第二平面和第三平面上分别沿着枝晶生长方向作标记线；根据标记线可以获知单晶样品的三维晶体学取向。本发明实现了更加高效便捷的晶体学取向标定，该方法可行性强，实施简单。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 四川;51 |
| 申请人： | 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所 |
| 发明人： | 王国伟;李建明;沈显峰;滕文华;杨琴;王利利 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811221238.1 |
| 公开号： | CN109211905A |
| 代理机构： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 |
| 代理人： | 唐邦英 |
| 分类号： | G01N21/84(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 621000 四川省绵阳市绵山路64号 |
| 主权项： | 1.一种单晶高温合金取向标定方法，其特征在于，包括以下步骤：1)、采用宏观腐蚀剂将单晶样品进行表面宏观腐蚀，根据腐蚀后的枝晶形貌判断出枝晶的生长方向；2)、在靠近样品表面的位置，切割出垂直于枝晶生长方向的第一平面，采用金相腐蚀剂腐蚀第一平面，得到适宜于金相分析的表面，根据第一平面上二次枝晶形成的十字花样作两条分别平行于十字花样的横标记线、竖标记线；3)、在单晶样品上切割出平行于枝晶生长方向的第二平面和第三平面，所述第二平面和第三平面分别平行于横标记线、竖标记线，在第二平面和第三平面上分别沿着枝晶生长方向作标记线；根据标记线可以准确获知单晶样品的三维晶体学取向。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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