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原文传递一种基于取向分布函数的单晶材料极图极点标定方法

专利名称：	一种基于取向分布函数的单晶材料极图极点标定方法
摘要：	本发明一种基于取向分布函数的单晶材料极图极点标定方法属于极点标定领域。本发明包括以下步骤：步骤1)、测试样品不同倾角及转角的衍射强度通过实测样品的极密度分布函数得数据，其中，χ为测试倾角，ψ为测试转角；步骤2)、通过邦厄函数计算材料的取向分布函数步骤3)、列出测试晶面所有的晶面指数，通过欧拉矩阵转换关系得到各晶面的方位角坐标得到材料的理论极图；步骤4)：通过计算理论极图与实测极图的误差，得到实测极图各极点的晶面指数。本发明方法极大简化了单晶材料的极点标定过程中的计算难度，提高了计算效率。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	北京;11
申请人：	中国航发北京航空材料研究院
发明人：	王曦;李楠;刘昌奎;王剑
专利状态：	有效
申请日期：	2021-10-09T00:00:00+0800
发布日期：	2022-03-15T00:00:00+0800
申请号：	CN202111176196.6
公开号：	CN114184629A
代理机构：	中国航空专利中心
代理人：	穆环宇
分类号：	G01N23/207;G06F17/15;G;G01;G06;G01N;G06F;G01N23;G06F17;G01N23/207;G06F17/15
申请人地址：	100095 北京市海淀区北京市81号信箱
主权项：	1.一种基于取向分布函数的单晶材料极图极点标定方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1)：测试样品的特定晶面hkl在不同倾角及转角的衍射强度通过样品的极密度分布函数得数据，其中，χ为测试倾角，ψ为测试转角；步骤2)：通过邦厄函数计算样品的取向分布函数计算公式(1)～(3)如下：已知球函数借助公式(1)求出各值；然后利用公式(2)求出最后把带入公式(3)中计算出所需要的取向分布函数且取向分布函数计算精度小于0.1°；式中为不同倾角及转角的衍射强度，为极密度分布函数的展开系数组，为球函数，为三维线性展开系数，为已知的球函数，为广义球函数，f(g)为取向分布函数步骤3)：列出测试晶面hkl所有的晶面指数，通过欧拉矩阵转换关系得到各晶面的方位角坐标得到材料的理论极图；步骤4)：通过计算理论极图与实测极图的误差，得到实测极图各极点的晶面指数。 2.根据权利要求1所述的一种基于取向分布函数的单晶材料极图极点标定方法，其特征在于：步骤1)中采用X射线衍射仪及附带的欧拉环测试样品不同倾角及转角的衍射强度。 3.根据权利要求1所述的一种基于取向分布函数的单晶材料极图极点标定方法，其特征在于：样品的倾角、转角测试间隔均小于2°。 4.根据权利要求1所述的一种基于取向分布函数的单晶材料极图极点标定方法，其特征在于：计算所得的取向分布函数的取向空间范围如下：0≤φ≤π， 5.根据权利要求4所述的一种基于取向分布函数的单晶材料极图极点标定方法，其特征在于：根据立方晶系材料对称性取向分布函数的取向空间范围可简化为0≤φ≤π，得到简化后材料的取向分布函数。 6.根据权利要求1所述的一种基于取向分布函数的单晶材料极图极点标定方法，其特征在于：根据立方晶系材料的对称性原理列出同族晶面所有的衍射晶面hkl。 7.根据权利要求1所述的一种基于取向分布函数的单晶材料极图极点标定方法，其特征在于：通过公式(4)、(5)欧拉转换关系得到各晶面的方位坐标，并转换为极坐标表示方法，得到各晶面方位角信息；将所有晶面及方位角信息利用极射赤面投影原理，筛选由南极投影出的极点，绘制计算极图，即理论极图。 S＝g-1×C (4) 8.根据权利要求1所述的一种基于取向分布函数的单晶材料极图极点标定方法，其特征在于：将步骤4)中理论极图的坐标分别与实测极图对比，方位角之差小于5°的即为实测极图的标定结果。
所属类别：	发明专利