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原文传递物质检测系统及物质检测方法

专利名称：	物质检测系统及物质检测方法
摘要：	物质检测系统具有：参考晶振及检测用晶振，形成于单一的晶体基板；振荡电路模块，使参考晶振及检测用晶振以基波频率及三次谐波频率依次振荡；温度确定部，基于参考晶振及检测用晶振的至少任一个的基波频率相对于既定的基准基波频率的偏差、与三次谐波频率相对于既定的基准三次谐波频率的偏差之差值，来确定晶体基板的表面温度；以及物质确定部，基于频率测定部所测定的参考晶振的基波频率与检测用晶振的基波频率之差、和温度确定部所确定的温度，来确定附着于检测用晶振的污染物质从检测用晶振脱离的温度，并基于所述脱离的温度来确定所述污染物质。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	日本;JP
申请人：	日本电波工业株式会社
发明人：	茎田启行;若松俊一;塩原毅;石川贵之;宫崎英治;土屋佑太
专利状态：	有效
申请日期：	2017-07-05T00:00:00+0800
发布日期：	2019-06-25T00:00:00+0800
申请号：	CN201780069423.0
公开号：	CN109937356A
代理机构：	北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人：	杨贝贝;臧建明
分类号：	G01N5/04(2006.01);G;G01;G01N;G01N5
申请人地址：	日本东京涉谷区笹塚1-47-1(邮递区号:151-8569)
主权项：	1.一种物质检测系统，包括：参考晶振及检测用晶振，形成于单一的晶体基板；振荡控制部，使所述参考晶振及所述检测用晶振以基波频率及三次谐波频率依次振荡；频率测定部，测定所述参考晶振及所述检测用晶振的基波频率、以及所述参考晶振及所述检测用晶振的三次谐波频率的至少任一个；温度确定部，基于所述参考晶振及所述检测用晶振的至少任一个的所述基波频率相对于既定的基准基波频率的偏差、与所述三次谐波频率相对于既定的基准三次谐波频率的偏差之差值，来确定所述晶体基板的表面温度；以及物质确定部，基于所述频率测定部所测定的所述参考晶振的基波频率与所述检测用晶振的基波频率之差、或所述参考晶振的三次谐波频率与所述检测用晶振的三次谐波频率之差的至少任一个、和所述温度确定部所确定的温度，来确定附着于所述检测用晶振的污染物质从所述检测用晶振脱离的温度，并基于所述脱离的温度来确定所述污染物质。 2.根据权利要求1所述的物质检测系统，其中所述振荡控制部分时切换使所述参考晶振以所述基波频率振荡还是以所述三次谐波频率振荡。 3.根据权利要求1或2所述的物质检测系统，其中所述振荡控制部包括：基波振荡部，使所述参考晶振及所述检测用晶振以基波频率振荡；三次谐波振荡部，使所述参考晶振及所述检测用晶振以三次谐波频率振荡；振子选择部，选择所述参考晶振及所述检测用晶振的任一者；及振荡部选择部，选择所述基波振荡部及所述三次谐波振荡部的任一者。 4.根据权利要求1至3中任一项所述的物质检测系统，还包括：加热部，基于所述温度确定部所确定的温度而对所述晶体基板进行加热。 5.根据权利要求4所述的物质检测系统，还包括：加热控制部，基于所述温度确定部所确定的温度与目标温度之差，来控制所述加热部的加热量。 6.根据权利要求1至3中任一项所述的物质检测系统，还包括：基底基板，供设置所述晶体基板；及固定构件，通过夹持所述基底基板及所述晶体基板而将所述晶体基板固定于所述基底基板。 7.根据权利要求6所述的物质检测系统，还包括：加热部，形成于所述基底基板的内层，且对所述晶体基板进行加热。 8.根据权利要求6所述的物质检测系统，还包括：加热部，设于所述基底基板的与设有所述晶体基板的一侧相反的一侧，且对所述晶体基板进行加热。 9.根据权利要求1至8中任一项所述的物质检测系统，其中所述物质确定部基于所述参考晶振的基波频率与所述检测用晶振的基波频率之差、或所述参考晶振的三次谐波频率与所述检测用晶振的三次谐波频率之差的变化，来确定所述污染物质脱离的温度。 10.根据权利要求1至9中任一项所述的物质检测系统，还包括：盖构件，覆盖所述参考晶振，且使所述检测用晶振露出。 11.一种物质检测方法，用于使用石英晶体微天平传感器模块来检测物质，所述石英晶体微天平传感器模块具有形成于单一的晶体基板的参考晶振及检测用晶振，且所述方法包括下述步骤：测定使所述参考晶振以基波频率振荡的期间中输出的振荡信号的参考基波频率；测定使所述检测用晶振以基波频率振荡的期间中输出的振荡信号的检测用基波频率；测定使所述参考晶振以三次谐波频率振荡的期间中输出的振荡信号的参考三次谐波频率；测定使所述检测用晶振以三次谐波频率振荡的期间中输出的振荡信号的检测用三次谐波频率；基于所述参考基波频率相对于既定的基准基波频率的偏差、与所述参考三次谐波频率相对于既定的基准三次谐波频率的偏差之差值，来确定所述晶体基板的表面温度；以及基于所述参考基波频率与所述检测用基波频率之差和所确定的温度，来确定附着于所述检测用晶振的污染物质从所述检测用晶振脱离的温度，并基于所述脱离的温度来确定所述污染物质。
所属类别：	发明专利