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原文传递一种集成OLED光源的表面量子点湿度传感器及其制作方法

专利名称：	一种集成OLED光源的表面量子点湿度传感器及其制作方法
摘要：	本发明公开了一种集成OLED光源的表面量子点湿度传感器及其制作方法。制作方法包括：制备表面量子点湿度传感层，包括：在GaAs衬底上从下到上依次沉积的n型GaAs缓冲层、N层InGaAs掩埋量子点层、InGaAs表面量子点层；对表面量子点湿度传感层进行刻蚀，在n型GaAs缓冲层上形成由InGaAs掩埋量子点层组成的第一台阶，在第一台阶上形成由InGaAs表面量子点层组成的第二台阶；在第一台阶的两侧及露出的上表面和第二台阶的上表面及两侧，形成沉积钝化层；在钝化层上进行光刻，腐蚀两个引线孔，在两个引线孔中分别蒸度Au、Ge、Ni；在InGaAs表面量子点层的露出的上表面一端，制备OLED光源层。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	河南;41
申请人：	河南理工大学
发明人：	王国东;曹国华;朱红伟;王康佳;杨莹丽
专利状态：	有效
申请日期：	2019-02-22T00:00:00+0800
发布日期：	2019-06-25T00:00:00+0800
申请号：	CN201910135744.7
公开号：	CN109932346A
代理机构：	北京华仁联合知识产权代理有限公司
代理人：	苏雪雪
分类号：	G01N21/64(2006.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	454000 河南省焦作市高新区世纪大道2001号河南理工大学
主权项：	1.一种集成OLED光源的表面量子点湿度传感器的制作方法，其特征在于，包括： S1：制备表面量子点湿度传感层，所述表面量子点湿度传感层包括：在GaAs衬底(01)上从下到上依次沉积的n型GaAs缓冲层(02)、N层InGaAs掩埋量子点层(03)、InGaAs表面量子点层(04)；N为大于或者等于1的正整数； S2：采用干法刻蚀技术，对所述表面量子点湿度传感层进行刻蚀，刻蚀深度达到所述n型GaAs缓冲层(02)，且在所述n型GaAs缓冲层(02)上形成由所述InGaAs掩埋量子点层(03)组成的第一台阶，以及在所述第一台阶上形成由InGaAs表面量子点层(04)组成的第二台阶； S3：在所述第一台阶的两侧及露出的上表面和所述第二台阶的上表面及两侧，形成钝化层(05)； S4：在所述钝化层(05)上进行光刻，腐蚀出两个引线孔，并在两个所述引线孔中分别蒸度Au、Ge、Ni，形成传感上电极(06)和传感下电极(07)； S5：在所述InGaAs表面量子点层(04)的露出的上表面一端，制备OLED光源层； S6：进行管芯分割，完成所述集成OLED光源的表面量子点湿度传感器的制作。 2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制备OLED光源层的步骤包括：采用分子束沉积技术，在InGaAs表面量子点层(04)的露出的上表面一端，从下到上依次沉积OLED阳极层(08)、有机空穴传输层(09)、有机发光层(10)、有机电子传输层(11)和OLED阴极层(12)。 3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述制备OLED光源层的步骤包括：在所述InGaAs表面量子点层(04)的露出的上表面一端，依次沉积二氧化钛、金、二氧化钛，形成OLED阳极层(08)；在所述OLED阳极层(08)的上表面一端，沉积酞菁铜，形成有机空穴传输层(09)；在所述有机空穴传输层(09)的上表面，沉积8-羟基喹啉铝，形成有机发光层(10)；在所述有机发光层(10)的上表面，沉积4，7-二苯基-1，10-邻二氮杂菲，形成有机电子传输层(11)；在所述有机电子传输层(11)上沉积LiF/AI，形成OLED阴极层(12)。 4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制备表面量子点湿度传感层的步骤具体包括：使用分子束外延技术在GaAs衬底(1)上依次沉积n型GaAs缓冲层(02)、N层InGaAs掩埋量子点层(03)、InGaAs表面量子点层(04)，形成表面量子点湿度传感层。 5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N层InGaAs掩埋量子点层(03)的每层InGaAs掩埋量子点层的制备步骤具体为：在InGaAs量子点层上覆盖一层GaAs。 6.一种集成OLED光源的表面量子点湿度传感器，其特征在于，包括：表面量子点湿度传感层，所述表面量子点湿度传感层包括：在GaAs衬底(01)上从下到上依次设置的n型GaAs缓冲层(02)、N层InGaAs掩埋量子点层(03)、以及InGaAs表面量子点层(04)；N为大于或者等于1的正整数；且在所述n型GaAs缓冲层(02)上形成由所述InGaAs掩埋量子点层(03)组成的第一台阶，以及在所述第一台阶上形成由InGaAs表面量子点层(04)组成的第二台阶；在所述第一台阶的两侧及露出的上表面和所述第二台阶的上表面及两侧，设置有钝化层(05)；在所述钝化层(05)上设置有腐蚀出的两个引线孔，并在两个所述引线孔中分别设置有传感上电极(06)和传感下电极(07)；在所述InGaAs表面量子点层(04)露出的上表面一端，设置有OLED光源层。 7.根据权利要求6所述的集成OLED光源的表面量子点湿度传感器，其特征在于，所述OLED光源层包括：在所述InGaAs表面量子点层(04)的露出的上表面一端，从下到上依次沉积的OLED阳极层(08)、有机空穴传输层(09)、有机发光层(10)、有机电子传输层(11)和OLED阴极层(12)。 8.根据权利要求7所述的集成OLED光源的表面量子点湿度传感器，其特征在于，所述N层InGaAs掩埋量子点层(03)的每一层的厚度不大于20nm；或所述OLED阳极层(08)成份为二氧化钛、金、和二氧化钛，厚度为10～30nm；或所述有机空穴传输层(09)成份为酞菁铜；或所述有机发光层(10)成份为8-羟基喹啉铝；或所述有机电子传输层(11)成份为4，7-二苯基-1，10-邻二氮杂菲；或所述OLED阴极层(12)成份为LiF、Al。 9.根据权利要求8所述的集成OLED光源的表面量子点湿度传感器，其特征在于，所述N层InGaAs掩埋量子点层(03)的每层InGaAs掩埋量子点层具体为：在InGaAs量子点层上覆盖有一层GaAs。
所属类别：	发明专利