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原文传递一种二维层状材料样品电学测试微电极的制备方法

专利名称：	一种二维层状材料样品电学测试微电极的制备方法
摘要：	本发明公开了一种二维层状材料样品电学测试微电极的制备方法，包括以下步骤：提供一硅片，硅片上分布单层或者少层的二维材料，通过原子力显微镜(AFM)定位一单层或者少层的待测二维层状样品，通过激光标记(Laser mark)在该二维层状样品附近做好标记。使用FIB辅助电子束沉积法在样品表面沉积了约5‑10nm的氧化硅对样品中心区域进行一定的保护；本方法中电子束和离子束的对中在激光标记处进行，然后在弱电子束下将样品移动到屏幕区域，切换到离子束下对样品四个角进行离子束辅助金属微电极的沉积。最后通过蒸镀沉积金属电极的方法从微电极处引出大电极，该方法可以推广应用于小样品的电学性能测试。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	上海;31
申请人：	华东师范大学
发明人：	齐瑞娟;成岩;黄荣
专利状态：	有效
申请日期：	2019-04-15T00:00:00+0800
发布日期：	2019-06-28T00:00:00+0800
申请号：	CN201910298039.9
公开号：	CN109946340A
代理机构：	北京恒创益佳知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：	付金豹
分类号：	G01N27/00(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	200062 上海市普陀区中山北路3663号
主权项：	1.一种二维层状材料样品电学测试微电极的制备方法，其特征在于通过聚焦离子束辅助沉积的方式从二维层状材料上引出微电极，该方法包括以下具体步骤：步骤1：提供一硅片，在硅片上分布单层或者少层的二维层状材料；步骤2：通过原子力显微镜(AFM)定位一单层或者少层的待测二维层状样品，确认二维层状材料厚度，选取合适的样品；步骤3：在二维层状样品附近做好激光标记，激光标记距离样品有安全距离；步骤4：将样品转移到聚焦离子束显微镜中，在弱电子束下通过激光标记处找到样品，通过电子束沉积5-10nm的氧化硅保护样品中心区域；步骤5：选定样品附近一特征点进行电子束离子束的对中，避免离子束扫描到样品区域；步骤6：在弱电子束移动样品，切换到离子束下对样品四角进行微电极的沉积；步骤7：通过常规蒸镀电极沉积金属电极和微电极相连。 2.根据权利要求1所述的二维层状材料样品微电极的制备方法，其特征在于，步骤3所述激光标记，具体包括： A1：在光学显微镜下确认样品位置； A2：在距离样品任意边沿1-2cm处用激光打一个标记，该标记形状不限，深度约1-5μm。 3.根据权利要求1所述的二维层状材料样品微电极的制备方法，其特征在于，步骤5所述电子束和离子束对中，具体包括： B1：在电子束下选取样品附近激光标记碎屑为特征点； B2：针对B1选取的特征点进行聚焦离子束下电子束和离子束的对中。 4.根据权利要求3所述的二维层状材料样品微电极的制备方法，其特征在于，步骤6所述微电极沉积，具体包括： B3：在低电压低束流电子束下，将二维材料样品移至屏幕中心；电子束电压低于2kv，束流低于50PA； B4：切换到离子束下，在样品四角进行离子束辅助微电极沉积，电极大小宽度方向50nm-500nm，长度方向2-10μm；离子束电压低于5kv，束流低于80PA。 5.根据权利要求3所述的二维层状材料样品微电极的制备方法，其特征在于，步骤5所述电子束和离子束对中，在0度电子束条件下找到一特征点，倾转样品台到52度，通过调节高度Z使得该特征点始终位于屏幕中心位置。 6.根据权利要求4所述的二维层状材料样品微电极的制备方法，其特征在于，步骤6选用的沉积电极金属可以是C、W、Pt。 7.根据权利要求1所述的二维层状材料样品微电极的制备方法，其特征在于，步骤7中电极材料是Au、Ag、Pt、W、Al或Cu。
所属类别：	发明专利