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一种三维多孔In2O3纳米立方面包气敏材料的制备方法
| 专利名称： | 一种三维多孔In2O3纳米立方面包气敏材料的制备方法 |
| 摘要： | 本发明涉及新材料技术领域，具体涉及一种三维多孔In2O3纳米立方面包气敏材料及其制备方法。其解决了目前In2O3作为气敏材料因热诱导生长导致的颗粒聚集和晶粒长大，以及传统的敏感膜转移工艺带来的薄膜脱落，导致气敏特性衰退的问题。本发明采用的制备方法为（1）Ag叉指电极片的清洗；（2）生长种子层；（3）生长In2O3。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 陕西;61 |
| 申请人： | 西安工业大学 |
| 发明人： | 于灵敏;马海宁;祁立军;马帅;李源;张波;曹磊;范新会 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-03-29T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-07-05T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910247920.6 |
| 公开号： | CN109975369A |
| 代理机构： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 |
| 代理人： | 黄秦芳 |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 710032 陕西省西安市未央区学府中路2号 |
| 主权项： | 1.一种三维多孔In2O3纳米立方面包气敏材料的制备方法，其特征在于：所述的制备方法的步骤为： 1）Ag叉指电极片的清洗：将电极片分别置于丙酮和酒精中超声处理15min，再通过去离子水超声清洗30min； 2）生长种子层：称取0.1-0.3g In(NO3)3加入到5ml的无水乙醇中，超声搅拌30min，得到种子层溶液，将种子层溶液利用喷枪均匀的喷涂到清洗过的电极片上60℃烘干，最后将电极片置于马弗炉中500-700℃煅烧90min； 3）生长In2O3: 称取0.5-0.8g In(NO3)3和1.0-3.0g的NH4F和0.2g尿素置于50ml去离子水中，将混合溶液分别进行磁子搅拌和超声处理，时间均为15min，得到透明的生长液，将生长液倒入不锈钢反应釜中，然后将长有种子层的电极片贴着反应釜内衬的内壁垂直放置，再将反应釜置于干燥箱中80-140℃保温5h，待反应结束后取出电极片，用去离子水将电极片表面冲洗干净，50-80℃烘干，然后将电极片置于马弗炉中500-700℃保温90min，得到三维多孔In2O3纳米立方面包气敏材料。 2.如权利要求1所述的制备方法制得的三维多孔In2O3纳米立方面包气敏材料。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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