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原文传递 一种离型膜保护膜的硅转移测试方法
专利名称: 一种离型膜保护膜的硅转移测试方法
摘要: 本发明公开一种离型膜保护膜的硅转移测试方法,包括如下步骤:步骤S1:截取胶带以及待测的离型膜,截取胶带A、胶带B以及一段离型膜,两段胶带均为sellotape胶带,且胶带A的两端分别记为a1、a2端,胶带B的两端记为b1、b2;步骤S2:将胶带A的a1端贴附于离型膜的表面,并使用手指抚平,然后将胶带A与离型膜分离;步骤S3:使胶带A的a1端贴附于a2端的表面,同时使胶带B的b1端贴附于b2端的表面;步骤S4:分别施加作用力使胶带A、胶带B分离,并将施加的作用力分别记为F1、F2;步骤S5:设置范围并计算转移率P,其中转移率为P=F1/F2。本发明通过设置测试组以及对照组,并且将两组的测试数据进行计算,从而快速计算硅转移率,方便快捷,且测试结果准确率高。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 广东;44
申请人: 深圳市普利司德高分子材料有限公司
发明人: 刘勇雄
专利状态: 有效
申请日期: 2019-04-15T00:00:00+0800
发布日期: 2019-07-09T00:00:00+0800
申请号: CN201910297603.5
公开号: CN109991161A
分类号: G01N19/04(2006.01);G;G01;G01N;G01N19
申请人地址: 518000 广东省深圳市坪山新区坑梓梓横路41号—B101
主权项: 1.一种离型膜保护膜的硅转移测试方法,其特征在于:包括如下步骤: 步骤S1:截取胶带以及待测的离型膜,截取胶带A、胶带B以及一段离型膜,两段胶带均为sellotape胶带,且胶带A的两端分别记为a1、a2端,胶带B的两端记为b1、b2; 步骤S2:将胶带A的a1端贴附于离型膜的表面,并使用手指抚平,然后将胶带A与离型膜分离; 步骤S3:使胶带A的a1端贴附于a2端的表面,同时使胶带B的b1端贴附于b2端的表面; 步骤S4:分别施加作用力使胶带A、胶带B分离,并将施加的作用力分别记为F1、F2; 步骤S5:设置范围并计算转移率P,其中转移率为P=F1/F2。 2.根据权利要求1所述的一种离型膜保护膜的硅转移测试方法,其特征在于:步骤S1中截取胶带时,其中胶带A、胶带B等长、等宽,且两者型号形同。 3.根据权利要求1所述的一种离型膜保护膜的硅转移测试方法,其特征在于:步骤S3中,胶带A的两端贴附的面积与胶带B两端贴附的面积相等。 4.根据权利要求1所述的一种离型膜保护膜的硅转移测试方法,其特征在于:步骤S3中,将胶带A、胶带B两端贴附时,胶带A、胶带B的两端均为自然接触,且整体呈圆环状。 5.根据权利要求1所述的一种离型膜保护膜的硅转移测试方法,其特征在于:步骤S5中,当P处于0.95-1的范围时,视为无硅转移;当P处于0.8-0.95的范围时,视为轻度硅转移;当P小于0.8时,视为严重硅转移。 6.根据权利要求1所述的一种离型膜保护膜的硅转移测试方法,其特征在于:步骤S2中,将胶带A的a1端贴附于离型膜表面并采用手指抚平时,胶带A与离型膜的组合体整体确保无褶皱、凹痕,且胶带A与离型膜之间无气泡。 7.根据权利要求1所述的一种离型膜保护膜的硅转移测试方法,其特征在于:步骤S4中,将胶带A的两端贴附以及胶带B的两端贴附时,胶带A两端的粘结处以及胶带B两端的粘结处整体确保无褶皱、凹痕,且两端的接触面无气泡。
所属类别: 发明专利
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