详情

原文传递芯片崩边缺陷检测方法

专利名称：	芯片崩边缺陷检测方法
摘要：	本发明提供一种芯片崩边缺陷检测方法，通过定义处方，标定了芯片参考图像中密封环相对于所述参考芯片标识的位置，对芯片表面进行扫描检测，利用图像处理算法，实现对芯片崩边缺陷的有效判定，解决了现有的自动光学检测设备在芯片边缘完整性检测中无法准确判定芯片是否失效，产生大量的误判缺陷的问题。进一步的，在检测芯片崩边缺陷的同时也对芯片密封环内区域的表面缺陷进行识别判定，而不需要针对芯片表面缺陷再新建处方程序进行再一次的扫描，实现对芯片密封环内表面缺陷的同步检测。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	上海;31
申请人：	上海微电子装备(集团)股份有限公司
发明人：	张凯;张鹏黎;马溯
专利状态：	有效
申请日期：	2017-12-29T00:00:00+0800
发布日期：	2019-07-09T00:00:00+0800
申请号：	CN201711488665.1
公开号：	CN109991232A
代理机构：	上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：	屈蘅;李时云
分类号：	G01N21/88(2006.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	201203 上海市浦东新区张东路1525号
主权项：	1.一种芯片崩边缺陷检测方法，其特征在于，包括：生成一芯片参考图像，所述芯片参考图像包括密封环和密封环内区域；获取待测芯片的视场图像；在所述视场内包含所述待测芯片的区域中，选择一个芯片区域进行特征抓取，生成芯片标识；根据所述芯片标识，在所述视场内设定待测芯片区域；从所述视场图像中分割出所述待测芯片区域；在所述待测芯片区域中，提取出切割道的边缘轮廓；以及计算所述芯片参考图像的密封环与所述待测芯片区域的边缘轮廓的间距，若间距小于设定值，则判定存在崩边缺陷。 2.如权利要求1所述的芯片崩边缺陷检测方法，其特征在于，在分割出所述待测芯片区域之后，还包括：将所述待测芯片区域与所述芯片参考图像进行对比以进行表面缺陷检测。 3.如权利要求1所述的芯片崩边缺陷检测方法，其特征在于，选择一个芯片区域包括框选芯片的密封环内区域，对所述芯片的密封环内区域进行特征抓取，生成所述芯片标识，通过框选设定待测芯片区域。 4.如权利要求1所述的芯片崩边缺陷检测方法，其特征在于，所述生成一芯片参考图像包括，通过对若干个良好芯片进行特征抓取，生成参考芯片标识，根据所述参考芯片标识生成所述芯片参考图像。 5.如权利要求4所述的芯片崩边缺陷检测方法，其特征在于，所述生成一芯片参考图像还包括，通过高倍物镜进行特征抓取以标定所述密封环的位置。 6.如权利要求5所述的芯片崩边缺陷检测方法，其特征在于，通过框选定义出所述密封环和所述密封环内区域，同时标定所述密封环相对于所述参考芯片标识的位置。 7.如权利要求6所述的芯片崩边缺陷检测方法，其特征在于，基于定义的所述密封环，计算所述芯片参考图像的密封环与所述待测芯片切割道边缘轮廓的间距。 8.如权利要求1所述的芯片崩边缺陷检测方法，其特征在于，所述密封环为芯片内部图案与外部切割道之间的分割线。 9.如权利要求1所述的芯片崩边缺陷检测方法，其特征在于，基于所述芯片标识和所述待测芯片区域，通过匹配和分割，从所述视场图像中分割出所述待测芯片区域。 10.如权利要求9所述的芯片崩边缺陷检测方法，其特征在于，所述待测芯片的密封环内区域与所述芯片标识相匹配，以标定所述待测芯片区域相对于所述视场图像的位置。 11.如权利要求2或6所述的芯片崩边缺陷检测方法，其特征在于，提取出所述待测芯片的密封环内区域，比较所述芯片参考图像的密封环内区域与所述待测芯片的密封环内区域，若所述芯片参考图像的密封环内区域与所述待测芯片的密封环内区域的差异区域的像素面积小于设定值，则判定所述差异区域为表面缺陷。
所属类别：	发明专利