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一种径向偏振光激发的SERS基底及其设计方法
| 专利名称： | 一种径向偏振光激发的SERS基底及其设计方法 |
| 摘要： | 本发明属于属于表面等离激元效应的元素光谱分析技术领域，公开了一种径向偏振光激发的SERS基底及其设计方法，该基底包括SiO2基底层，所述SiO2基底层上设置有氧化石墨烯薄膜层，所述氧化石墨烯薄膜层上设置有多个双金纳米棒组，每个双金纳米棒组包括2个金纳米棒，其中一个金纳米棒水平排布，一个竖直排布，并且竖直排布的金纳米棒底部正对水平排布的金纳米棒。本发明可以大大增加SERS基底的增强因子，可以广泛应用于SERS检测领域。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 山西;14 |
| 申请人： | 太原理工大学 |
| 发明人： | 翟爱平;聂仲泉;贾宝华 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-04-04T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-07-12T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910268863.X |
| 公开号： | CN110006872A |
| 代理机构： | 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) |
| 代理人： | 赵江艳 |
| 分类号： | G01N21/65(2006.01);G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 030024 山西省太原市迎泽西大街79号 |
| 主权项： | 1.一种径向偏振光激发的SERS基底，其特征在于，包括SiO2基底层，所述SiO2基底层上设置有氧化石墨烯薄膜层，所述氧化石墨烯薄膜层上设置有金纳米棒，所述径向偏振光由垂直于所述SiO2基底层的方向入射到SERS基底。 2.根据权利要求1所述的一种径向偏振光激发的SERS基底，其特征在于，所述氧化石墨烯薄膜层上设置有多个双金纳米棒组，每个双金纳米棒组包括2个金纳米棒，其中一个金纳米棒水平排布，一个竖直排布，并且竖直排布的金纳米棒底部正对所述水平排布的金纳米棒。 3.根据权利要求2所述的一种径向偏振光激发的SERS基底，其特征在于，所述SiO2基底层的厚度为20nm，金纳米棒的长度为114nm，半径为13nm，所述径向偏振光的波长为785nm，所述双金纳米棒组内，两个金纳米棒的距离为2nm。 4.一种径向偏振光激发的SERS基底的设计方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在FDTD solution软件内设置SERS基底的结构，其包括SiO2基底层，位于SiO2基底层上的氧化石墨烯薄膜层以及位于氧化石墨烯薄膜层上的金纳米棒，同时设置该基底由入射方向垂直于所述SiO2基底层的方向的径向偏振光激发； S2、确定仿真的初始条件，固定SiO2基底层和氧化石墨烯薄膜层的厚度，金纳米棒的长度和半径； S3、依次改变金纳米棒的数量，排列方式，以及金纳米棒之间的间距，利用FDTDsolution软件计算SERS基底的电场强度分布，根据电场强度分布计算SERS基底的增强因子； S4、从步骤S3中，筛选出增强因子较大的结构作为优选的SERS基底。 5.根据权利要求4所述的一种径向偏振光激发的SERS基底的设计方法，其特征在于，所述步骤S3中，金纳米棒的数量为2~4个，金纳米棒的排列方式包括水平排列，竖直排列，以及水平竖直复合排列。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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