专利名称: |
K边成像方法 |
摘要: |
本发明涉及成像技术领域,提出一种K边成像方法。该K边成像方法包括获取探测器的能量分辨率,并根据所述能量分辨率确定高斯卷积核;获取理论衰减系数曲线;根据所述高斯卷积核以及理论衰减系数曲线得到第一平滑衰减系数曲线;根据所述第一平滑衰减系数曲线结合能窗内光谱信息得到第二平滑衰减系数曲线;根据所述第二平滑衰减系数曲线选定能窗位置。在选择能窗位置时考虑到了探测器的能量分辨率以及能窗内光谱信息的影响,能够在不同的能窗宽度需求下、较好的选择衰减系数差异最大的能窗位置,从而尽可能大的利用K吸收边的差异进行减影成像,获得最优的图像质量。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
北京;11 |
申请人: |
中国科学院高能物理研究所 |
发明人: |
张志都;王哲;魏存峰;王燕芳;许琼;李默涵;程志威;魏龙 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2019-04-12T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-07-12T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201910294389.8 |
公开号: |
CN110006932A |
代理机构: |
北京律智知识产权代理有限公司 |
代理人: |
袁礼君;阚梓瑄 |
分类号: |
G01N23/083(2018.01);G;G01;G01N;G01N23 |
申请人地址: |
100049 北京市石景山区玉泉路19号乙院 |
主权项: |
1.一种K边成像方法,其特征在于,包括: 获取探测器的能量分辨率,并根据所述能量分辨率确定高斯卷积核; 获取理论衰减系数曲线; 根据所述高斯卷积核以及理论衰减系数曲线得到第一平滑衰减系数曲线; 根据所述第一平滑衰减系数曲线结合能窗内光谱信息得到第二平滑衰减系数曲线; 根据所述第二平滑衰减系数曲线选定能窗位置。 2.根据权利要求1所述的K边成像方法,其特征在于,根据能量分辨率确定高斯卷积核,包括: 根据所述能量分辨率确定目标能量处的半高全宽; 根据所述半高全宽以及高斯函数的性质得到所述高斯卷积核。 3.根据权利要求2所述的K边成像方法,其特征在于,根据能量分辨率确定高斯卷积核,包括: 确定能量与能量分辨率之间的关系; 根据所述能量与能量分辨率之间的关系获得所述目标能量处的能量分辨率。 4.根据权利要求1所述的K边成像方法,其特征在于,获取理论衰减系数曲线,包括: 建立理论衰减数据库; 从所述理论衰减数据库中获取理论衰减系数曲线。 5.根据权利要求4所述的K边成像方法,其特征在于,从所述理论衰减数据库中获取理论衰减系数曲线,包括: 从所述理论衰减数据库中获取理论衰减系数离散点; 根据所述理论衰减系数离散点通过三次多项式分段插值得到理论衰减系数曲线。 6.根据权利要求1所述的K边成像方法,其特征在于,根据所述高斯卷积核以及所述理论衰减系数曲线得到第一平滑衰减系数曲线,包括: 根据所述高斯卷积核以及所述理论衰减系数曲线利用高斯卷积公式得到第一平滑衰减系数曲线。 7.根据权利要求1所述的K边成像方法,其特征在于,所述能窗内的光谱信息包括光子等效能量和光子等效衰减系数;根据所述第一平滑衰减系数曲线结合能窗内光谱信息得到第二平滑衰减系数曲线,包括: 根据所述第一平滑衰减系数曲线对能窗范围内的能量和衰减系数确定其对应的光子等效能量和光子等效衰减系数; 由所述等效能量和所述等效衰减系数得到所述第二平滑衰减系数曲线。 8.根据权利要求7所述的K边成像方法,其特征在于,根据所述第一平滑衰减系数曲线对能窗范围内的能量和衰减系数求其对应的等效能量和等效衰减系数,包括: 根据所述第一平滑衰减系数曲线、能窗宽度和光谱确定所述等效衰减系数; 根据所述能窗宽度和所述光谱确定所述等效能量。 9.根据权利要求8所述的K边成像方法,其特征在于,所述能窗宽度大于等于5kev小于等于10kev。 10.根据权利要求1所述的K边成像方法,其特征在于,根据所述第二平滑衰减系数曲线选定能窗位置,包括: 根据所述第二平滑衰减系数曲线的波峰与波谷确定所述能窗位置。 |
所属类别: |
发明专利 |