专利名称: |
包括绕组结构的次级侧装置和用于制造次级侧装置的方法 |
摘要: |
本发明涉及包括至少一个次级绕组结构(W)的次级侧装置(3)和用于制造这种次级侧装置(3)的方法,其中,次级侧装置(3)包括至少一个相线和每个相线一个次级绕组结构(W),其中,次级侧装置包括至少两个导磁元件(5、5a、5b、5c、5d、5e),其中,次级侧装置包括至少一个横向外导磁元件(5a、5d、5e、5f)和至少一个内导磁元件(5b、5c),其中,所述至少一个横向外导磁元件(5a、5d)的宽度大于所述至少一个内导磁元件(5b、5c)的宽度,和/或所述至少一个内导磁元件(5b、5e)的长度(L_5b、L_5e)小于所述至少一个横向外导磁元件(5a、5f)的长度(L_5a、L_5f)。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
德国;DE |
申请人: |
庞巴迪无接触运行有限责任公司 |
发明人: |
R·林特;F·加西亚;R·查因斯基;D·安德斯;A·克林斯波尔 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2017-12-20T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-07-16T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201780071697.3 |
公开号: |
CN110023133A |
代理机构: |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人: |
周家新 |
分类号: |
B60L53/12(2019.01);B;B60;B60L;B60L53 |
申请人地址: |
德国柏林 |
主权项: |
1.一种包括至少一个次级绕组结构(W)的次级侧装置(3),其中,所述次级侧装置(3)包括至少一个相线和每个相线一个次级绕组结构(W),其中,次级侧装置包括至少两个导磁元件(5、5a、5b、5c、5d、5e),其中,次级侧装置包括至少一个横向外导磁元件(5a、5d、5e、5f)和至少一个内导磁元件(5b、5c), 其特征在于 所述至少一个横向外导磁元件(5a、5d)的宽度大于所述至少一个内导磁元件(5b、5c)的宽度和/或所述至少一个内导磁元件(5b、5e)的长度(L_5b、L_5e)小于所述至少一个横向外导磁元件(5a、5f)的长度(L_5a、L_5f)。 2.根据权利要求1所述的次级侧装置,其特征在于,导磁元件(5)由条元件(9)提供,或者导磁元件(5)包括多个子元件,其中,一个子元件由条元件(9a、9b、9c)提供。 3.根据权利要求1或2所述的次级侧装置,其特征在于,导磁元件(5)包括每排至少两个导磁子元件的至少一排导磁子元件。 4.根据权利要求3所述的次级侧装置,其特征在于,排(5)的至少两个子元件至少部分地彼此重叠。 5.根据权利要求3至4中任一项所述的次级侧装置,其特征在于,排(5)的至少两个导磁子元件彼此横向偏移开地设置。 6.根据权利要求1至5中任一项所述的次级侧装置,其特征在于,导磁元件(5)包括至少一个下部分和至少一个上部分。 7.根据权利要求1至6中任一项所述的次级侧装置,其特征在于,所述至少一个导磁元件(5)提供凹部(14),以接收次级绕组结构(W)的至少一个区段。 8.根据权利要求1至7中任一项所述的次级侧装置,其特征在于,至少一个导磁元件(5)的至少一个区段延伸进入或穿过由次级绕组结构(W)或次级绕组结构(W)的子绕组结构(SW1、SW2)包围的空间或区域。 9.根据权利要求1至8中任一项所述的次级侧装置,其特征在于,沿横向方向在两个相邻的导磁元件(5、5a、...、5f)之间提供间隙。 10.根据权利要求1至9中任一项所述的次级侧装置,其特征在于,横向外导磁元件(5a、5d)的宽度沿横向外导磁元件(5a、5d)的长度在至少一个区段中变宽。 11.根据权利要求1至10中任一项所述的次级侧装置,其特征在于,横向外导磁元件(5a、5d)具有或提供横向突出区段(4)。 12.根据权利要求1至11中任一项所述的次级侧装置,其特征在于,所述次级侧装置(3)包括至少一个天线元件(10),其中,至少一个导磁元件(5)的至少一个部分是天线元件(10)的一部分。 13.一种制造包括至少一个次级绕组结构(W)的次级侧装置(3)的方法,其中,该方法包括提供至少一个相线和每个相线一个次级绕组结构(W)的步骤: -提供至少两个导磁元件(5), -通过布置导磁元件(5)使得其布置在所有导磁元件(5a、...、5f)的组的横向侧来提供导磁元件(5)中的一个作为横向外导磁元件(5a、5d、5e、5f), -通过布置导磁元件(5)使得其不布置在所有导磁元件(5a、...、5f)的组的横向侧来提供导磁元件(5)中的一个作为内导磁元件(5b、5c), -提供横向外导磁元件(5a、5d)和内导磁元件(5b、5c),使得至少一个横向外导磁元件(5a、5d)的宽度大于至少一个内导磁元件(5b、5c)的宽度,和/或至少一个内导磁元件(5b、5e)的长度(L_5b、L_5e)小于至少一个横向外导磁元件(5a、5f)的长度(L_5a、L_5f)。 |
所属类别: |
发明专利 |