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多晶硅破碎物的附着树脂的分析方法
| 专利名称： | 多晶硅破碎物的附着树脂的分析方法 |
| 摘要： | 本发明提供一种分析方法，对于多晶硅破碎物的附着树脂，能够以较高的灵敏度进行定性、并且以较高的精度进行定量。在通过加热从多晶硅破碎物去除有机挥发成分后，在惰性气体的流通下，使该多晶硅破碎物的温度上升，收集在上述加热温度下产生的树脂分解物，并分析该树脂分解物中包含的所述树脂固有的分解物，由此确定所述多晶硅破碎物的附着树脂的种类。并且，对于所述树脂固有的分解物分别作成标准曲线，根据该标准曲线定量每种所述附着树脂的附着量。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 日本;JP |
| 申请人： | 株式会社德山 |
| 发明人： | 滑川真人;武本美贵枝 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2017-12-14T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-07-19T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201780074177.8 |
| 公开号： | CN110036293A |
| 代理机构： | 北京卓孚知识产权代理事务所(普通合伙) |
| 代理人： | 李亚;刘光明 |
| 分类号： | G01N33/00(2006.01);G;G01;G01N;G01N33 |
| 申请人地址： | 日本山口县 |
| 主权项： | 1.一种多晶硅破碎物的表面杂质的分析方法，其特征在于， 在从多晶硅破碎物去除有机挥发成分后，在惰性气体的流通下，使该多晶硅破碎物的温度上升，收集在上述加热温度下产生的树脂分解物，并分析该树脂分解物中包含的所述树脂固有的分解物，由此确定所述多晶硅破碎物的附着树脂的种类。 2.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于， 所述有机挥发成分的去除是维持在以下温度进行的，即180℃以上、且低于在该多晶硅破碎物的制备工序中被假定与多晶硅接触的树脂的开始分解温度。 3.根据权利要求1或2所述的分析方法，其特征在于， 所述多晶硅破碎物的温度的上升是根据树脂开始分解温度分阶段进行的。 4.根据权利要求1～3中任意一项所述的分析方法，其特征在于， 对于所述树脂固有的分解物分别作成标准曲线，根据该标准曲线定量每种所述附着树脂的附着量。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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