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原文传递氮化碳纳米片耦合适配体传感的赭曲霉毒素A荧光检测方法

专利名称：	氮化碳纳米片耦合适配体传感的赭曲霉毒素A荧光检测方法
摘要：	本发明涉及一种氮化碳纳米片耦合适配体传感的赭曲霉毒素A荧光检测方法，该方法利用适配体与g‑C3N4纳米片(CNNS)的相互作用以及g‑C3N4纳米片对荧光发光团的淬灭作用，并结合适配体特异性识别赭曲霉毒素A的特性，构建信号增强型的赭曲霉毒素A荧光检测方法；其中，所述适配体的序列如下：5’‑GATCGGTGTGGGTGGCGTAAAGGGAGCATCGGACA‑FAM‑3’。此方法操作简单、背景信号较低，检测限低且选择性良好。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	福建;35
申请人：	福建中医药大学
发明人：	许惠凤;朱希;余丽双;王丽丽;张诗琪;周奕
专利状态：	有效
申请日期：	2018-12-14T00:00:00+0800
发布日期：	2019-04-23T00:00:00+0800
申请号：	CN201811533463.9
公开号：	CN109668864A
代理机构：	北京中济纬天专利代理有限公司
代理人：	张磊
分类号：	G01N21/64(2006.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	350122 福建省福州市闽侯县上街镇大学城邱阳路1号
主权项：	1.一种氮化碳纳米片耦合适配体传感的赭曲霉毒素A荧光检测方法，其特征在于：利用适配体与g-C3N4纳米片的相互作用以及g-C3N4纳米片对荧光发光团的淬灭作用，并结合适配体特异性识别赭曲霉毒素A的特性，构建信号增强型的赭曲霉毒素A荧光检测方法；其中，所述适配体的序列如下： 5’-GATCGGTGTGGGTGGCGTAAAGGGAGCATCGGACA-FAM-3’。 2.根据权利要求1所述的氮化碳纳米片耦合适配体传感的赭曲霉毒素A荧光检测方法，其特征在于：它包括以下步骤： (1)合成g-C3N4纳米片； (2)配制适配体溶液； (3)配制赭曲霉毒素A标准溶液； (4)绘制赭曲霉毒素A响应标准曲线并获得线性回归方程式：在不同浓度的赭曲霉毒素A标准溶液中分别加入配制好的适配体溶液，反应30-210min，再分别加入g-C3N4纳米片，静置0.5-3min，用荧光分光光度计在室温下分别检测上述不同浓度赭曲霉毒素A标准溶液在520nm处的荧光强度，获得荧光强度与赭曲霉毒素A浓度的标准曲线；根据所得标准曲线，获得荧光强度与赭曲霉毒素A浓度的线性回归方程式； (5)待测液检测：在待测液中加入配制好的适配体溶液，反应30-210min，再加入g-C3N4纳米片，静置0.5-3min，用荧光分光光度计在室温下检测体系在520nm处的荧光强度，将该荧光强度带入步骤(4)所获得的线性回归方程式中，经计算得待测液的赭曲霉毒素A浓度。 3.根据权利要求2所述的氮化碳纳米片耦合适配体传感的赭曲霉毒素A荧光检测方法，其特征在于：步骤(1)合成g-C3N4纳米片的具体方法为： a.合成体相的g-C3N4：将二氰胺放置在管式炉中，以2-3℃/min的速率进行程序升温并在600-700℃下加热2-3h，得到淡黄色的体相g-C3N4； b.制备g-C3N4纳米片:将体相g-C3N4研磨呈粉末状后，分散在水中并超声16-20h，形成混悬液；接着，将形成的混悬液以6000-7000rmp转速离心5-10min除去残留的未分散的g-C3N4；最后，收集上清液并在60-70℃下在旋转蒸发器中减压浓缩，获得牛奶状悬浮液。 4.根据权利要求2所述的氮化碳纳米片耦合适配体传感的赭曲霉毒素A荧光检测方法，其特征在于：步骤(2)配制适配体溶液的方法为：把1OD的适配体放入超高速离心机以10000-15000rpm离心5-10min，加入270μL的蒸馏水，充分混匀配成浓度为10μM适配体母液；之后将该适配体母液放入金属恒温加热器中，在90℃下解链5min；拿出，缓慢降至室温，备用；之后用移液枪取20μL 10μM解链后的适配体母液，加入180μL蒸馏水，充分振荡混匀，稀释为1μM适配体溶液，备用；用移液枪移取20μL 1μM适配体溶液，加入180μL20mM Tris-HCl缓冲液，充分振荡混匀，稀释为100nM适配体溶液；其中，所述Tris-HCl缓冲液包括100mM NaCl、5.0mM KCl以及5.0mM MgCl2，且pH为7.4。 5.根据权利要求2所述的氮化碳纳米片耦合适配体传感的赭曲霉毒素A荧光检测方法，其特征在于：步骤(3)配制赭曲霉毒素A标准溶液的方法为：用稀释液将赭曲霉毒素A纯品配制为浓度分别为0、1、2、5、10、20、50、100nM的赭曲霉毒素A标准溶液，其中，稀释液为甲醇与水体积比为7：3的溶液。 6.根据权利要求2所述的氮化碳纳米片耦合适配体传感的赭曲霉毒素A荧光检测方法，其特征在于：所述荧光分光光度计的激发波长设置为490nm，激发狭缝宽度为5nm，发射狭缝宽度为5nm。
所属类别：	发明专利