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原文传递 硅核量子点壳复合纳米材料与制备方法及应用和产品
专利名称: 硅核量子点壳复合纳米材料与制备方法及应用和产品
摘要: 本发明涉及纳米材料及新型量子点领域,具体而言,提供了一种硅核量子点壳复合纳米材料与制备方法及应用和产品。本发明提供的复合纳米材料,具有核壳结构,内核层为SiO2纳米颗粒,外壳层为羧基化量子点,内核层和外壳层之间还有正电性聚合物层。制备方式如下:首先将正电性聚合物修饰在SiO2纳米颗粒表面,再吸附一层羧基化量子点,形成硅核量子点外壳的复合纳米材料。该复合纳米材料分散性好、粒径大小可调、荧光强度高且易于批量制备,可用于复杂样本中目标物质的捕获及高灵敏检测。
专利类型: 发明专利
申请人: 中国人民解放军军事科学院军事医学研究院
发明人: 王升启;肖瑞;汪崇文;杨兴胜
专利状态: 有效
申请日期: 1900-01-20T02:00:00+0805
发布日期: 1900-01-20T08:00:00+0805
申请号: CN202010002977.2
公开号: CN111122854A
代理机构: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人: 徐乐
分类号: G01N33/558;G01N33/569;G01N33/58;C01B33/18;B82Y30/00;B82Y40/00;G;C;B;G01;C01;B82;G01N;C01B;B82Y;G01N33;C01B33;B82Y30;B82Y40;G01N33/558;G01N33/569;G01N33/58;C01B33/18;B82Y30/00;B82Y40/00
申请人地址: 100000 北京市海淀区太平路27号院
主权项: 1.一种复合纳米材料,其特征在于,所述复合纳米材料具有核壳结构,内核层为SiO2纳米颗粒,外壳层为羧基化量子点,所述内核层和外壳层之间还有正电性聚合物层。 2.根据权利要求1所述的复合纳米材料,其特征在于,所述复合纳米材料的粒径大小为100-400nm; 优选地,所述SiO2纳米颗粒的粒径大小为80-350nm; 优选地,SiO2纳米颗粒表面的正电性聚合物层的厚度为1-10nm; 优选地,正电性聚合物包括PEI; 优选地,PEI的数均分子质量为5000-80000。 3.根据权利要求1或2所述的复合纳米材料,其特征在于,所述羧基化量子点的荧光发射波长范围为400-800nm; 优选地,所述羧基化量子点的材料包括CdTe、CdSe、InP、InAs、CdSe/CdS、CdSe/ZnS、CdSe/ZnSe、CdTe/ZnS、CdHgTe/ZnS或HgTe/HgCdS,优选为CdSe/ZnS; 优选地,SiO2纳米颗粒采用化学沉淀法制备得到; 优选地,所述化学沉淀法包括:将含硅的前驱体和还原剂加入到有机溶剂中,搅拌均匀后进行合成反应,待反应完成后离心收集产物,得到SiO2纳米颗粒; 优选地,含硅的前驱体为正硅酸乙酯; 优选地,有机溶剂为乙醇; 优选地,还原剂为27-29%氨水。 4.权利要求1-3任一项所述的复合纳米材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:在SiO2纳米颗粒表面修饰正电性聚合物,再修饰羧基化量子点,得到复合纳米材料。 5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,SiO2纳米颗粒表面修饰正电性聚合物的步骤包括:利用超声使得正电性聚合物修饰在SiO2纳米颗粒表面; 优选地,超声的时间为20-60min,优选为40min; 优选地,SiO2纳米颗粒和正电性聚合物的浓度比为1:(4-8),优选为1:5; 优选地,正电性聚合物的浓度为0.5-5mg/mL,优选为1mg/mL; 优选地,正电性聚合物包括PEI; 优选地,PEI的数均分子质量为5000-80000; 优选地,SiO2纳米颗粒的粒径大小为80-350nm; 优选地,SiO2纳米颗粒表面的正电性聚合物层的厚度为1-10nm; 优选地,SiO2纳米颗粒采用化学沉淀法制备得到; 优选地,所述化学沉淀法包括:将含硅的前驱体和还原剂加入到有机溶剂中,搅拌均匀后进行合成反应,待反应完成后离心收集产物,得到SiO2纳米颗粒; 优选地,含硅的前驱体为正硅酸乙酯; 优选地,有机溶剂为乙醇; 优选地,还原剂为27-29%氨水。 6.根据权利要求4或5所述的制备方法,其特征在于,修饰羧基化量子点的步骤包括:利用超声使得羧基化量子点修饰在带有正电性聚合物修饰的SiO2纳米颗粒表面; 优选地,超声的时间为20-60min,优选为40min; 优选地,羧基化量子点和带有正电性聚合物修饰的SiO2纳米颗粒的质量比为1:(10-1000); 优选地,所述羧基化量子点的荧光发射波长范围为400-800nm; 优选地,所述羧基化量子点的材料包括CdTe、CdSe、InP、InAs、CdSe/CdS、CdSe/ZnS、CdSe/ZnSe、CdTe/ZnS、CdHgTe/ZnS或HgTe/HgCdS,优选为CdSe/ZnS。 7.权利要求1-3任一项所述的复合纳米材料在标记检测物中的应用,所述检测物为特异性结合对的成员之一,所述特异性结合对包括抗原和抗体、酶抑制剂和酶、互补的核苷酸序列、生物素和抗生物素蛋白,或者,辅因子和酶。 8.一种量子点标记检测物,其特征在于,包括特异性结合对的成员之一以及标记其的权利要求1-3任一项所述的复合纳米材料,所述特异性结合对包括抗原和抗体、酶抑制剂和酶、互补的核苷酸序列、生物素和抗生物素蛋白,或者,辅因子和酶。 9.权利要求1-3任一项所述的复合纳米材料或权利要求8所述的量子点标记检测物在免疫检测或制备免疫检测产品中的应用; 优选地,所述免疫检测包括荧光免疫层析。 10.一种荧光免疫层析检测试纸,其特征在于,包括权利要求1-3任一项所述的复合纳米材料或权利要求8所述的量子点标记检测物。
所属类别: 发明专利
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