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原文传递用于辐射标志物检测的免疫层析试纸及其制备方法和应用以及试剂盒

专利名称：	用于辐射标志物检测的免疫层析试纸及其制备方法和应用以及试剂盒
摘要：	本发明提供了一种用于辐射标志物检测的免疫层析试纸及其制备方法和应用以及试剂盒，涉及辐射损伤评估技术领域，用于辐射标志物检测的免疫层析试纸包括：基底，分别设置在所述基底上且顺次连接的吸水纸、检测膜、释放垫以及样品垫；其中，所述检测膜上设置有检测线，所述检测线包括辐射标志物包被抗体，所述辐射标志物包括SAA、CRP、PCT以及白介素‑6中的至少一种；所述释放垫中含有与辐射标志物标记抗体偶联的DTNB修饰的纳米材料。该免疫层析试纸结构简单，用该免疫层析试纸评估辐射损伤时检测速度快、操作简单、成本低、灵敏度高以及特异性强。
专利类型：	发明专利
申请人：	中国人民解放军军事科学院军事医学研究院
发明人：	王升启;肖瑞;周喆;王治东;王琪;刘真真
专利状态：	有效
申请日期：	1900-01-20T07:00:00+0805
发布日期：	1900-01-20T19:00:00+0805
申请号：	CN202010012709.9
公开号：	CN111175517A
代理机构：	北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：	刘建荣
分类号：	G01N33/68;G01N33/558;G;G01;G01N;G01N33;G01N33/68;G01N33/558
申请人地址：	100000 北京市海淀区太平路27号院
主权项：	1.一种用于辐射标志物检测的免疫层析试纸，其特征在于，包括：基底，分别设置在所述基底上且顺次连接的吸水纸、检测膜、释放垫以及样品垫；其中，所述检测膜上设置有检测线，所述检测线包括辐射标志物包被抗体，所述辐射标志物包括SAA、CRP、PCT以及白介素-6中的至少一种；所述释放垫中含有与辐射标志物标记抗体偶联的DTNB修饰的纳米材料。 2.根据权利要求1所述的免疫层析试纸，其特征在于，所述检测膜包括硝酸纤维素膜、醋酸纤维素膜、PVDF膜以及尼龙膜中的至少一种；优选地，所述释放垫中，与辐射标志物标记抗体偶联的DTNB修饰的纳米材料的含量为400-600μL；优选地，所述纳米材料包括SiO2@Au、胶体金、胶体银以及磁珠中的至少一种；优选地，所述检测线中辐射标志物包被抗体的划膜浓度为0.5-1.5mg/mL，优选为1mg/mL；优选地，DTNB修饰的纳米材料包括双层DTNB修饰的SiO2@Au。 3.根据权利要求1或2所述的免疫层析试纸，其特征在于，还包括控制线，所述控制线设置在所述检测膜上且位于所述检测线与所述吸水纸之间，所述控制线包括羊抗鼠IgG抗体。 4.一种权利要求1-3任一项所述的免疫层析试纸在制备辐射损伤评估试剂盒中的应用。 5.根据权利要求4所述的应用，其特征在于，辐射损伤评估时将含有辐射标志物抗原的溶液加于样品垫上；优选地，含有辐射标志物抗原的溶液加于样品垫上的量为60-80μL，所述样品垫的宽度为3mm；优选地，利用拉曼光谱法检测检测线上的拉曼峰强度；优选地，利用拉曼光谱法检测检测线上1331cm-1位移处的拉曼峰强度；优选地，所述免疫层析试纸的检测灵敏度为0.01ng/mL。 6.一种试剂盒，其特征在于，包括权利要求1-3任一项所述的免疫层析试纸。 7.一种权利要求1-3任一项所述的免疫层析试纸的制备方法，其特征在于，包括：在基底上设置顺次连接的吸水纸、检测膜、释放垫以及样品垫；其中，在所述检测膜的检测线中设置辐射标志物包被抗体，所述辐射标志物包括SAA、CRP、PCT以及白介素-6中的至少一种；在所述释放垫中设置与辐射标志物标记抗体偶联的DTNB修饰的纳米材料。 8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，释放垫中与辐射标志物标记抗体偶联的DTNB修饰的纳米材料的制备方法如下：将DTNB修饰的纳米材料与辐射标志物标记抗体混合1-3h，得到与辐射标志物标记抗体偶联的DTNB修饰的纳米材料。 9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，DTNB修饰的纳米材料为双层DTNB修饰的SiO2@Au；优选地，所述双层DTNB修饰的SiO2@Au的制备方法如下：在SiO2@Au表面修饰第一层DTNB，得到单层修饰的金种子；在所述第一层DTNB表面修饰第二层DTNB，得到双层DTNB修饰的SiO2@Au；优选地，在所述第一层DTNB表面修饰第二层DTNB包括：将所述单层修饰的金种子与氯金酸混合，得到中间体；将所述中间体与DTNB混合，得到在所述第一层DTNB表面修饰的第二层DTNB。 10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，双层DTNB修饰的SiO2@Au的制备方法如下：将水、PVP、盐酸羟胺与所述单层修饰的金种子混合后进行第一超声处理，得到混合溶液；将所述混合溶液与氯金酸混合后依次进行第二超声处理和固液分离，得到混合物；将所述混合物与乙醇和DTNB混合后进行第三超声处理，得到双层DTNB修饰的SiO2@Au，优选地，所述第一超声处理的时间为9-11min；优选地，所述第二超声处理的时间为4-6min；优选地，所述第三超声处理的时间为0.5-1.5h。
所属类别：	发明专利