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原文传递 一种梯度折射率CVD金刚石光纤
专利名称: 一种梯度折射率CVD金刚石光纤
摘要: 本发明公开了一种梯度折射率CVD金刚石光纤,包括折光晶体、保护头、光电探测器和金属外壳,所述折光晶体设于金属外壳内部,所述光电探测器设于金属外壳远离折光晶体的一端,所述保护头设于金属外壳的另一端,所述光电探测器包括基座、液压升降杆、支撑杆、液压控制器、螺纹连接柱和光电探测器本体,所述光电探测器本体设于支撑杆上方,所述液压控制器设于光电探测器本体侧面,所述液压升降杆上方设于支撑杆下方,所述基座设于液压升降杆下方,所述螺纹连接柱设于光电探测器本体上方。本发明属于光电技术领域,具体是指一种可以调高光电探测器集光效果的梯度折射率CVD金刚石光纤。
专利类型: 发明专利
申请人: 湖州中芯半导体科技有限公司
发明人: 蒋荣方;刘宏明;王骏
专利状态: 有效
申请日期: 1900-01-20T00:00:00+0805
发布日期: 1900-01-20T22:00:00+0805
申请号: CN202010214426.2
公开号: CN111189779A
代理机构: 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司
代理人: 许羽冬
分类号: G01N21/01;G02B7/00;G;G01;G02;G01N;G02B;G01N21;G02B7;G01N21/01;G02B7/00
申请人地址: 313000 浙江省湖州市吴兴区高新区中横港路33号2号厂房5号
主权项: 1.一种梯度折射率CVD金刚石光纤,其特征在于:包括折光晶体、保护头、光电探测器和金属外壳,所述折光晶体设于金属外壳内部,所述光电探测器设于金属外壳远离折光晶体的一端,所述保护头设于金属外壳的另一端,所述光电探测器包括基座、液压升降杆、支撑杆、液压控制器、螺纹连接柱和光电探测器本体,所述光电探测器本体设于支撑杆上方,所述液压控制器设于光电探测器本体侧面,所述液压升降杆上方设于支撑杆下方,所述基座设于液压升降杆下方,所述螺纹连接柱设于光电探测器本体上方。 2.根据权利要求1所述的一种梯度折射率CVD金刚石光纤,其特征在于:所述金属外壳包括金属外壳本体、内螺纹和外螺纹,所述外螺纹设于金属外壳本体的一端,所述内螺纹设于金属外壳本体的另一端。 3.根据权利要求1所述的一种梯度折射率CVD金刚石光纤,其特征在于:所述金属外壳为中空圆柱体结构设置。 4.根据权利要求1所述的一种梯度折射率CVD金刚石光纤,其特征在于:所述折光晶体两向对面表面粗糙度Ra=50nm。 5.根据权利要求1所述的一种梯度折射率CVD金刚石光纤,其特征在于:所述内螺纹与外螺纹设于金属外壳的不同端。
所属类别: 发明专利
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