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CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法
| 专利名称： | CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法 |
| 摘要： | 本发明公开了CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法，包括以下步骤：通过对金刚石本体的尺寸进行分析，确定切割面的位置，然后通过夹具把金刚石本体进行固定；通过对导向轮和调节轮参数的控制，确定金刚石本体的切割厚度，可以分多次进行切割，每次切割的厚度记为T1、T2、T3、T4，确保对金刚石本体切割的稳定性和精确性，提高金刚石本体的切割质量；对切割厚度进行换算，确定滚珠丝杠的进给量，实现对金刚石本体的倾斜切割，对切割环境进行调节。本发明能够实现一次多片切割，大大地提高了设备的切割效率，可以实现水平方向上的进给，采用斜切的方式，降低切割对样品的损耗，同时切割后的形状类似于钻石的形状，方便二次切割。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 陕西;61 |
| 申请人： | 西安碳星半导体科技有限公司 |
| 发明人： | 刘宏明;左浩;李升 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810623644.4 |
| 公开号： | CN108908762A |
| 代理机构： | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 |
| 代理人： | 刘晓晖 |
| 分类号： | B28D5/00(2006.01)I;B28D5/04(2006.01)I;B;B28;B28D;B28D5;B28D5/00;B28D5/04 |
| 申请人地址： | 710000 陕西省西安市国家民用航天产业基地东长安街888号LED产业园1号楼1层厂房南半部 |
| 主权项： | 1.CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：通过对金刚石本体的尺寸进行分析，确定切割面的位置，然后通过夹具把金刚石本体进行固定；S2：通过对导向轮和调节轮参数的控制，确定金刚石本体的切割厚度，可以分多次进行切割，每次切割的厚度记为T1、T2、T3、T4，确保对金刚石本体切割的稳定性和精确性，提高金刚石本体的切割质量；S3：对切割厚度进行换算，确定滚珠丝杠的进给量，实现对金刚石本体的倾斜切割，对切割环境进行调节，如冷却液和润滑剂的加入，启动驱动电机，对金刚石本体进行切割；S4：在对金刚石切割的时候，通过检测装置对切割参数进行检测，通过对检测数据的观察，对切割装置的进行调节，尽量的检出误差的存在；S5：待切割完成，对金刚石本体的切割端面进行检查确认，通过检查确认，即完成切割。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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