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原文传递 一种增透膜剩余反射率测试陪片
专利名称: 一种增透膜剩余反射率测试陪片
摘要: 本发明提供一种增透膜剩余反射率测试陪片。该陪片为单面抛光片;陪片对测试波长的吸收系数大于40每厘米;陪片的材料是掺杂浓度大于1.9*1018每立方厘米的N型掺杂材料。本发明能够通过采用对激光器芯片相应波段具有强吸收作用的材料作陪片,降低了陪片背面的反射光强度,减小了背面反射光对正面反射光的干涉作用,减小了剩余反射率测试曲线的抖动,提高了增透膜剩余反射率测试精度。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 河北;13
申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
发明人: 武艳青;杨红伟;李丰;王英顺;车相辉;程义涛;封嘉纯;崔绍晖;张维会;刘雨佳;黄乐乐;张晓松;张向立
专利状态: 有效
申请日期: 2021-12-27T00:00:00+0800
发布日期: 2022-03-29T00:00:00+0800
申请号: CN202111614583.3
公开号: CN114252397A
代理机构: 石家庄国为知识产权事务所
代理人: 张贵勤
分类号: G01N21/01;G01N21/55;G01N21/84;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/01;G01N21/55;G01N21/84
申请人地址: 050051 河北省石家庄市合作路113号
主权项: 1.一种增透膜剩余反射率测试陪片,其特征在于,所述陪片为单面抛光片; 所述陪片对测试波长的吸收系数大于40每厘米; 所述陪片的材料是掺杂浓度大于1.9*1018每立方厘米的N型掺杂材料。 2.如权利要求1所述的增透膜剩余反射率测试陪片,其特征在于,所述N型掺杂材料的类型与待测激光器芯片的衬底的材料一致。 3.如权利要求2所述的增透膜剩余反射率测试陪片,其特征在于,所述N型掺杂材料包括磷化铟。 4.如权利要求3所述的增透膜剩余反射率测试陪片,其特征在于,所述测试波长的范围为1300纳米至1570纳米; 相应的所述陪片用于测试磷化铟/铟镓砷激光器的增透膜剩余反射率。 5.如权利要求2所述的增透膜剩余反射率测试陪片,其特征在于,所述N型掺杂材料包括砷化镓。 6.如权利要求1至5任一项所述的增透膜剩余反射率测试陪片,其特征在于,所述N型掺杂材料的掺杂元素为硫。 7.如权利要求6所述的增透膜剩余反射率测试陪片,其特征在于,所述陪片的抛光面的粗糙度小于0.3纳米。 8.如权利要求7所述的增透膜剩余反射率测试陪片,其特征在于,所述陪片的厚度范围为750微米至1000微米。 9.如权利要求8所述的增透膜剩余反射率测试陪片,其特征在于,所述陪片的厚度偏差小于15微米。 10.如权利要求9所述的增透膜剩余反射率测试陪片,其特征在于,所述陪片的翘曲度小于12微米。
所属类别: 发明专利
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