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原文传递纳米陶瓷涂层EBSD表征试样及其制备方法、检测方法

专利名称：	纳米陶瓷涂层EBSD表征试样及其制备方法、检测方法
摘要：	本发明公开了一种纳米陶瓷涂层EBSD表征试样及其制备方法、检测方法。通过采用导电薄膜对纳米陶瓷涂层试样的表面整体包覆，并在纳米陶瓷涂层试样外部设置导电抽头，再对包覆了导电薄膜的纳米陶瓷涂层试样进行镶嵌、研磨和抛光得到纳米陶瓷涂层EBSD表征试样。该纳米陶瓷涂层EBSD表征试样通过导电薄膜将采集时的电荷积累导走，在EBSD扫描时直接采集纳米陶瓷涂层信号，完成纳米陶瓷涂层的EBSD微观晶体结构表征。有效规避传统制样方法在EBSD检测表面层喷碳，因碳膜厚度无法精确控制导致EBSD无法采集的问题。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	广东;44
申请人：	广东省科学院新材料研究所
发明人：	况敏;张吉阜;毛杰;张小锋;石倩;牛少鹏;刘桦;王昊;张东东;宋琛
专利状态：	有效
申请日期：	2021-12-21T00:00:00+0800
发布日期：	2022-03-25T00:00:00+0800
申请号：	CN202111568677.1
公开号：	CN114235867A
代理机构：	北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：	宋南
分类号：	G01N23/2005;G01N23/203;G;G01;G01N;G01N23;G01N23/2005;G01N23/203
申请人地址：	510650 广东省广州市天河区长兴路363号
主权项：	1.一种纳米陶瓷涂层EBSD表征试样的制备方法，其特征在于，包括：采用导电薄膜对纳米陶瓷涂层试样的表面整体包覆，并在纳米陶瓷涂层试样外部设置导电抽头。 2.根据权利要求1所述的一种制备方法，其特征在于，所述导电薄膜对所述纳米陶瓷涂层试样的包覆为密缠绕，并使导电薄膜与涂层之间紧密贴合；优选地，所述密缠绕包括将次层导电薄膜与前层导电薄膜搭接，所述搭接的宽度≥0.5mm；优选地，所述导电薄膜对所述纳米陶瓷涂层试样表面的压应力为100-200KPa。 3.根据权利要求1所述的一种制备方法，其特征在于，所述导电薄膜的厚度为1-100μm。 4.根据权利要求3所述的一种制备方法，其特征在于，所述导电薄膜为连续薄膜，包括铜箔、银箔、铝箔、铜基导电带或碳导电带的至少一种。 5.根据权利要求1所述的一种制备方法，其特征在于，所述导电抽头为：将导电薄膜整体包覆于纳米陶瓷涂层试样表面后剩余的导电薄膜；优选地，所述导电抽头的长度大于2mm。 6.根据权利要求1所述的一种制备方法，其特征在于，所述纳米陶瓷涂层试样是在金属基体上采用喷涂或真空镀膜方式获得的纳米陶瓷涂层；优选地，所述纳米陶瓷涂层包括TiN、TiNC、CrN、ZrN、ZrO2、Al2O3或Cr2O3的至少一种；优选地，所述纳米陶瓷涂层为至少一层；优选地，所述获得纳米陶瓷涂层的方法包括物理气相沉积、电子束物理气相沉积、大气等离子喷涂、等离子喷涂物理气相沉积、电弧离子镀和磁控溅射法的至少一种。 7.根据权利要求2～6任一项所述的一种制备方法，其特征在于，还包括将具有导电抽头的纳米陶瓷涂层试样进行镶嵌；优选地，所述镶嵌为冷镶嵌，所述导电抽头引出至远离所述待测面一端的镶嵌材料外部。 8.根据权利要求7所述的一种制备方法，其特征在于，对镶嵌得到的纳米陶瓷涂层试样的待测面进行研磨和抛光；优选地，所述抛光包括离子抛光和/或振动抛光；优选地，抛光面位于导电膜抽头的背面。 9.一种纳米陶瓷涂层EBSD表征试样，其特征在于，由权利要求1～8任一项的制备方法制备得到。 10.一种纳米陶瓷涂层EBSD表征试样的检测方法，其特征在于，将权利要求9所述纳米陶瓷涂层EBSD表征试样置于EBSD电镜试样台上，并将导电抽头与所述EBSD电镜试样台的基座紧密连接。
所属类别：	发明专利