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原文传递 CMOS集成电路基板、其制备方法及显示面板

专利名称：	CMOS集成电路基板、其制备方法及显示面板
摘要：	本公开涉及半导体领域的CMOS集成电路基板、其制备方法及显示面板，该电路基板包括：CMOS集成电路驱动层，包括初始键合区域和扩展键合区域，扩展键合区域位于初始键合区域的至少一侧；重布线层，设置于至少一侧的至少部分扩展键合区域内；重布线层包括至少一条第一线路和若干条第二线路，第一线路的第一端分布在重布线层靠近CMOS集成电路驱动层的一侧并与CMOS集成电路驱动层电连接；第一线路与第二线路电连接；第二线路的第二端在重布线层背离CMOS集成电路驱动层的一侧阵列分布；重布线层用于电连接CMOS集成电路驱动层和发光像素单元。通过在至少部分扩展键合区域上重新布线，增大键合区域，提高了CMOS上表面利用率。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	广东;44
申请人：	季华实验室
发明人：	崔泽林;岳大川;蔡世星;林立;杨小龙;谢峰;梁秋敏;李小磊;伍德民
专利状态：	有效
申请日期：	2022-11-02T00:00:00+0800
发布日期：	2022-11-29T00:00:00+0800
申请号：	CN202211362345.2
公开号：	CN115411032A
代理机构：	北京开阳星知识产权代理有限公司
代理人：	姚金金
分类号：	H01L27/092;H01L27/15;H01L33/62;H01L21/8238;H;H01;H01L;H01L27;H01L33;H01L21;H01L27/092;H01L27/15;H01L33/62;H01L21/8238
申请人地址：	528200 广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号
主权项：	1.一种CMOS集成电路基板，其特征在于，包括： CMOS集成电路驱动层，包括初始键合区域和扩展键合区域，所述扩展键合区域位于所述初始键合区域的至少一侧；重布线层，设置于至少一侧的至少部分所述扩展键合区域内；所述重布线层包括至少一条第一线路和若干条第二线路，所述第一线路的第一端分布在所述重布线层靠近所述CMOS集成电路驱动层的一侧并与所述CMOS集成电路驱动层电连接；所述第一线路与所述第二线路电连接；所述第二线路的第二端在所述重布线层背离所述CMOS集成电路驱动层的一侧阵列分布；所述重布线层用于电连接所述CMOS集成电路驱动层和发光像素单元。 2.根据权利要求1所述的CMOS集成电路基板，其特征在于，所述重布线层设置于所有所述扩展键合区域内。 3.根据权利要求1所述的CMOS集成电路基板，其特征在于，所述重布线层设置于所有所述扩展键合区域和所述初始键合区域内。 4.根据权利要求1-3中任一项所述的CMOS集成电路基板，其特征在于，所述重布线层包括第一介电层和第二介电层，所述第一介电层设置于所述CMOS集成电路驱动层和所述第二介电层之间；所述第一线路在第一介电层内分布，所述第二线路在第二介电层内分布；所述重布线层还包括第三线路，所述第三线路设置于所述第一介电层和所述第二介电层之间，用于电性连接所述第一线路和所述第二线路。 5.根据权利要求4所述的CMOS集成电路基板，其特征在于，所述第一介电层开设至少一个贯穿其厚度的第一盲孔，所述第一线路设置于所述第一盲孔中，且与所述第一盲孔一一对应；所述第二介电层开设若干个贯穿其厚度的第二盲孔，所述第二线路设置于所述第二盲孔中，且与所述第二盲孔一一对应。 6.根据权利要求5所述的CMOS集成电路基板，其特征在于，所述第一线路与所述初始键合区域电连接。 7.根据权利要求4所述的CMOS集成电路基板，其特征在于，所述第一介电层和所述第二介电层的材料包括氧化硅、氧化铝、氮化铝、环氧模塑料和聚酰亚胺中的至少一种。 8.根据权利要求4所述的CMOS集成电路基板，其特征在于，所述第一线路、所述第二线路和所述第三线路的材料包括金、银、铜、钛和氧化铟锡中的至少一种。 9.根据权利要求1-3中任一项所述的CMOS集成电路基板，其特征在于，还包括：键合单元；所述键合单元设置于所述重布线层背离所述CMOS集成电路驱动层的一侧，与所述第二线路的第二端电连接且一一对应，用于与发光像素单元键合连接。 10.根据权利要求9所述的CMOS集成电路基板，其特征在于，所述键合单元与发光像素单元以晶圆键合和芯片键合的其中一种进行键合。 11.一种CMOS集成电路基板的制备方法，其特征在于，包括：提供一CMOS集成电路驱动层；其中，所述CMOS集成电路驱动层包括初始键合区域和扩展键合区域，所述扩展键合区域位于所述初始键合区域的至少一侧；形成重布线层于所述CMOS集成电路驱动层的一侧；所述重布线层设置于至少一侧的至少部分所述扩展键合区域；其中，所述重布线层包括至少一条第一线路和若干条第二线路，所述第一线路的第一端分布在所述重布线层靠近所述CMOS集成电路驱动层的一侧并与所述CMOS集成电路驱动层电连接；所述第一线路与所述第二线路电连接；所述第二线路的第二端在所述重布线层背离所述CMOS集成电路驱动层的一侧阵列分布；所述重布线层用于电连接所述CMOS集成电路驱动层和发光像素单元。 12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述形成重布线层于所述CMOS集成电路驱动层的一侧，包括：形成第一介电层于所述CMOS集成电路驱动层的一侧；形成至少一个第一盲孔于所述第一介电层中；形成第一线路于所述第一盲孔中，所述第一线路与所述CMOS集成电路驱动层电连接；形成第三线路于所述第一介电层背离所述CMOS集成电路驱动层的一侧，所述第三线路与所述第一线路电连接；形成第二介电层于所述第一介电层和所述第三线路背离所述CMOS集成电路驱动层的一侧；形成若干个第二盲孔于所述第二介电层中；形成第二线路于所述第二盲孔中，所述第二线路与所述第三线路电连接。 13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，还包括：形成键合单元于所述第二介电层背离所述第一介电层的一侧；所述键合单元与所述第二线路的第二端电连接且一一对应，用于与发光像素单元键合连接。 14.一种显示面板，其特征在于，包括：如权利要求1-10中任一项所述的CMOS集成电路基板。