详情

原文传递一种基于Fano共振的薄膜传感器

专利名称：	一种基于Fano共振的薄膜传感器
摘要：	本申请提供了一种基于Fano共振的薄膜传感器，涉及纳米材料检测的技术领域，所述传感器包括基底层和金属层，所述金属层设置在基底层的顶部，所述金属层的中下位置设置有均匀宽度的波导沟，所述波导沟带有左右对称的短波，所述金属层上设置有环形谐振腔，所述短波位于波导沟朝向环形谐振腔的一侧，所述环形谐振腔内接Z型结构，所述传感器除去Z型结构其余部分左右对称，所述Z型结构关于环形谐振腔的圆心中心对称。本实用新型通过在波导沟和环形谐振腔内放入薄膜，检测薄膜的厚度，相对目前较为成熟各种纳米级别测量厚度的仪器，成本低廉，技术原理简单，可在纳米材料领域、光学领域等广泛应用。
专利类型：	实用新型
国家地区组织代码：	浙江;33
申请人：	浙江水利水电学院
发明人：	闫树斌;王强;崔洋;陈辰
专利状态：	有效
申请日期：	2023-06-01T00:00:00+0800
发布日期：	2023-11-17T00:00:00+0800
申请号：	CN202321383216.1
公开号：	CN220040252U
代理机构：	上海欣创专利商标事务所(普通合伙)
代理人：	包宇霆
分类号：	G01N21/41;G01B11/06;G;G01;G01N;G01B;G01N21;G01B11;G01N21/41;G01B11/06
申请人地址：	310018 浙江省杭州市上城区经济技术开发区2号大街508号
主权项：	1.一种基于Fano共振的薄膜传感器，其特征在于，所述传感器包括基底层(1)和金属层(2)，所述金属层(2)设置在基底层(1)的顶部，所述金属层(2)的中下位置设置有均匀宽度的波导沟(3)，所述波导沟(3)带有左右对称的短波(4)，所述金属层(2)上设置有环形谐振腔(5)，所述短波(4)位于波导沟(3)朝向环形谐振腔(5)的一侧，所述环形谐振腔(5)内接Z型结构，所述传感器除去Z型结构其余部分左右对称，所述Z型结构关于环形谐振腔(5)的圆心中心对称；所述Z型结构的长边穿过环形谐振腔(5)的圆心，所述Z型结构的长边与波导沟(3)呈30-60度夹角，所述Z型结构的两短边在长边两侧，且短边与长边垂直，所述Z型结构的两端过环形谐振腔(5)平行于波导沟(3)的直径。 2.根据权利要求1所述的一种基于Fano共振的薄膜传感器，其特征在于，所述波导沟(3)、短波(4)、环形谐振腔(5)和Z型结构的结构尺寸是可调节的。 3.根据权利要求2所述的一种基于Fano共振的薄膜传感器，其特征在于，所述波导沟(3)的宽度等于环形谐振腔(5)内外圆的间距。 4.根据权利要求3所述的一种基于Fano共振的薄膜传感器，其特征在于，所述Z型结构的长边与波导沟(3)呈45度夹角。 5.根据权利要求4所述的一种基于Fano共振的薄膜传感器，其特征在于，所述波导沟(3)的宽度为50nm，所述短波(4)的长度和宽度分别为80nm和50nm，两所述短波(4)的距离为300nm，所述波导沟(3)与环形谐振腔(5)的耦合距离为10nm，所述环形谐振腔(5)的外圆半径为190至250nm，所述环形谐振腔(5)内外圆的间距为50nm，所述Z型结构的宽度为50nm。 6.根据权利要求1所述的一种基于Fano共振的薄膜传感器，其特征在于，所述波导沟(3)、短波(4)和环形谐振腔(5)内放入不同厚度的待检测薄膜。 7.根据权利要求1所述的一种基于Fano共振的薄膜传感器，其特征在于，所述基底层(1)为由二氧化硅制成，所述金属层(2)为由金属银制成。 8.根据权利要求1所述的一种基于Fano共振的薄膜传感器，其特征在于，入射光为红外波段光。
所属类别：	实用新型