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一种带有硅钢片涂层的电镜薄膜样品的制备方法
| 专利名称： | 一种带有硅钢片涂层的电镜薄膜样品的制备方法 |
| 摘要： | 本发明公开了带有硅钢片涂层的电镜薄膜样品的制备方法，该方法主 要利用单面离子减薄法制备得到样品。本发明利用先进的单面离子减薄法， 制备得到的透射电镜薄膜样品，该样品可进行深入的涂层分析，对于解决 硅钢片的涂层质量起到了关键的作用，在透射电镜下能清楚的分辨出样品 中的基体、底层和基层。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 湖北;42 |
| 申请人： | 武汉钢铁（集团）公司 |
| 发明人： | 邓照军;李平和;陈士华;杨 皓;关 云;张 敏;吴立新;刘继雄;周千学;李立军 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2009-06-19T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN200910062755.3 |
| 公开号： | CN101581637 |
| 代理机构： | 北京市德权律师事务所 |
| 代理人： | 周发军 |
| 分类号： | G01N1/28(2006.01)I |
| 申请人地址： | 430083湖北省武汉市青山区厂前2号门 |
| 主权项： | 1.一种带有硅钢片涂层的电镜薄膜样品的制备方法，其特征在于，采 用单面离子减薄法，包括以下步骤： a.选取硅钢片，用切割机切割成长度为5～10mm，宽度为10～20mm的 硅钢片试样，保证试样两面平整、涂层保留完全； b.将切割好的试样采用单面磨的方法，保留一面的涂层完整，先用粗 砂纸，再用细砂纸磨制，直到试样厚度为80±10μm； c.用透射电镜专用的冲孔机在磨制好的试样上冲出半径为3mm的圆片 试样，冲孔时，冲头对着试样的磨制面；接着用细砂纸磨去冲孔毛边；最 后用挖坑机对半径为3mm的圆片试样进行挖坑，挖坑面为试样的磨制面， 挖坑深度约为30±5μm； d.用离子减薄仪对试样进行单面减薄，试样的磨制面朝上，离子减薄 仪的左右枪均选择从上往下轰击试样，左右枪离子束角度为6±0.5°，工 作电压设置为5±0.2Kev，减薄2～2.5小时，保证试样不能穿孔；接着将 左右枪角度均减小到3±0.5°继续减薄，30～40分钟后，待试样穿孔，取 出试样；最后将试样翻转，涂层面朝上放回离子减薄仪进行减薄，任意选 择左枪或者右枪从上往下轰击，其离子束角度调整为3±0.5°，将选择剩 下的左枪或者右枪从下往上轰击，其离子束角度调整为3±0.5°，电压设 置为3～3.5Kev，减薄过程中借助显微镜同步观察，3～5分钟将后试样表 面清理干净，带有硅钢片涂层的电镜薄膜样品制备完毕。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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