专利名称: | 一种激光精密加工单晶硅的方法 |
摘要: | 本发明是一种激光精密加工单晶硅的方法,采用参数:激光器输出功率70W;激光频率 1000Hz;脉冲宽度0.5ms;辅助气体氧压0.6MPa.扫描速度为20m/s切割的单晶硅片曲线 平滑、切面没有毛刺、不挂渣等优点,而且切割速度快,完全符合应用要求。存在最佳的切割 速度,也存在最佳的激光脉冲宽度和重复频率。本发明对单晶硅片的加工曲线平滑、切面没有 毛刺、不挂渣等优点,而且切割速度快,完全符合精密加工的要求。 |
专利类型: | 发明专利 |
国家地区组织代码: | 广东;44 |
申请人: | 茂名学院 |
发明人: | 黄庆举 |
专利状态: | 有效 |
申请日期: | 2008-12-15T00:00:00+0800 |
发布日期: | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: | CN200810220041.6 |
公开号: | CN101585113 |
分类号: | B23K26/40(2006.01)I |
申请人地址: | 525000广东省茂名市官渡二路139号 |
主权项: | 1.一种激光精密加工单晶硅的方法,采用参数:激光器输出功率70W;激 光频率1000Hz;脉冲宽度0.5ms;辅助气体氧压0.6MPa.扫描速度为20m/s切 割的单晶硅片曲线平滑、切面没有毛刺、不挂渣等优点,而且切割速度快,完全 符合精密加工的要求。 |
所属类别: | 发明专利 |