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原文传递微芯片、以及微芯片的制造方法

专利名称：	微芯片、以及微芯片的制造方法
摘要：	本发明提供一种微芯片以及微芯片的制造方法，通过填埋在微芯片中形成的开口部附近的衬底间的间隙而可以防止试剂等的泄漏。该微芯片构成为具有微芯片衬底(10)和微芯片衬底(14)。在微芯片衬底(10)中形成有槽状的微细流路(11)和贯通孔，通过将微芯片衬底(10)和微芯片衬底(14)接合起来而制造微芯片。开口部(12) 与微细流路(11)连接，通过开口部(12)进行试剂等的导入或试剂等的排出等。在开口部(12)的内表面上形成电解质膜(13)。电介质膜(13)使用SiO
专利类型：	发明专利
申请人：	柯尼卡美能达精密光学株式会社
发明人：	平山博士
专利状态：	有效
申请日期：	2007-11-13T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN200780049697.X
公开号：	CN101589311
代理机构：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：	王永刚
分类号：	G01N35/08(2006.01)I
申请人地址：	日本东京
所属类别：	发明专利