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原文传递微芯片及其制造方法

专利名称：	微芯片及其制造方法
摘要：	本发明提供一种微芯片及其制造方法，所述微芯片是在树脂基板上接合有树脂膜的微芯片，其可以防止由于周边部的剥离而导致的漏液，并同时防止微细流路的变形和堵塞。本发明所提供的微芯片，其包括：具有形成有流路用槽的第1表面和与所述第1表面相反侧的第2表面的树脂基板，以及接合在所述树脂基板的第1表面上的树脂膜，其中，所述树脂基板和所述树脂膜的接合面由下述区域构成：包含形成有所述流路用槽的区域的中央区域，及该中央区域外周的周边区域，在中央区域上树脂基板和所述树脂膜的接合强度大于0.098N/cm，且至少部分接合面的周边区域的接合强度大于中央区域的接合强度。
专利类型：	发明专利
申请人：	柯尼卡美能达精密光学株式会社
发明人：	平山博士;波多野卓史
专利状态：	有效
申请日期：	2009-01-21T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN200980104904.6
公开号：	CN101952731A
代理机构：	北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：	张涛
分类号：	G01N35/08(2006.01)I
申请人地址：	日本东京都
主权项：	一种微芯片，其包括：树脂基板，其具备形成有流路用槽的第1表面和位于所述第1表面相反侧的第2表面；以及树脂膜，其接合在所述树脂基板的第1表面上，其中，所述树脂基板和所述树脂膜的接合面由下述区域构成：包含形成有所述流路用槽的区域的中央区域，以及位于该中央区域外周的周边区域，在所述中央区域，所述树脂基板和所述树脂膜的接合强度大于0.098N/cm，所述接合面的至少一部分周边区域的接合强度大于所述中央区域的接合强度。
所属类别：	发明专利